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（电视））（21773）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 申请 | 安装类型 | 包装 /案例 | 类型 | 基本产品编号 | 电容 @频率 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 单向通道 | 电压 -反向对峙（典型） | 电压 -故障（最小） | 电压 -夹紧（最大） @ ipp | 电流 -10/1000µs） | 功率 -峰值脉冲 | 电力线保护 | 双向通道 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MXLP4KE170A | - |  | 7242 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-204al，do-41，轴向 | 齐纳 | P4KE170 | - | DO-204AL（DO-41） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 145V | 162V | 234V | 1.7a | 400W | 不 | |||
 | 5KP85CAE3/TR13 | - | | 7749 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | P600，轴向 | 齐纳 | 5KP85 | - | P600 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 85V | 94.4V | 137V | 36.5a | 5000W（5kW） | 不 | 1 | |||
| MXLSMCG60CAE3 | - | | 2110 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | do-215ab，SMC Gull机翼 | 齐纳 | SMCG60 | - | SMCG（do-215ab） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 60V | 66.7V | 96.8V | 15.5A | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | |||
 | mxsmcjlce30a/tr | 19.0050 | | 4610 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB，SMC | 齐纳 | SMCJLCE30 | 100pf @ 1MHz | SMCJ（do-214ab） | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | MXSMCJLCE30A/TRM | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1 | 30V | 33.3V | 48.4V | 31a | 1500W（1.5kW） | 不 | |||
 | MXUPTB28E3 | 22.8750 | | 9952 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | do-216aa | 齐纳 | UPTB28 | - | PowerMite 1（DO216-AA） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 28V | 31V | 47.8V | 3.13a | 1000W（1kw） | 不 | 1 | ||||
 | MXLSMLJ16AE3 | - | | 7326 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB，SMC | 齐纳 | SMLJ16 | - | do-214ab | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 16V | 17.8V | 26V | 115.4a | 3000W（3KW） | 不 | |||
 | mplad36kp40ae3 | 38.2200 | | 5962 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad36 | - | plad | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 40V | 44.4V | 64.5V | 559a | 36000W（36kW） | 不 | |||
| MXLSMLJ33CA | - | | 9519 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB，SMC | 齐纳 | SMLJ33 | - | do-214ab | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 33V | 36.7V | 53.3V | 56.2a | 3000W（3KW） | 不 | 1 | |||
 | M5KP100A | 6.8400 | | 127 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-204ar，轴向 | 齐纳 | 5KP100 | - | do-204ar | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 100V | 111V | 162V | 31a | 5000W（5kW） | 不 | |||
 | MSMLJ14CAE3/tr | 2.7600 | | 7404 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB，SMC | 齐纳 | SMLJ14 | - | SMLJ（do-214ab） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | MSMLJ14CAE3/TRM | Ear99 | 8541.10.0080 | 400 | 14V | 15.6V | 23.2v | 129.4a | 3000W（3KW） | 不 | 1 | ||
 | JANS1N6131A | 77.3100 | | 6761 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/516 | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF，b | 齐纳 | 1N6131 | - | B，平方米 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 86.6V | 104.5V | 151.3V | 3.3a | 500W | 不 | 1 | ||||
| MXLPLAD15KP10A | - | | 1588年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad15 | - | plad | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 10V | 11.1V | 17V | 882a | 15000W（15kW） | 不 | |||
 | MXSMBG51AE3 | - | | 6436 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-215AA，SMB海鸥翼 | 齐纳 | SMBG51 | - | SMBG（DO-215AA） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 51V | 56.7V | 82.4V | 7.3a | 600W | 不 | |||
 | SM1615E3/TR13 | 1.7400 | | 9867 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | 16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm） | 齐纳 | SM16 | 400pf @ 1MHz | 16件事 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 8 | 15V | 16.7V | 30V | 5a（8/20µs） | 300W | 不 | |||
| JANTX1N6152 | - | | 1777年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/516 | 大部分 | 在sic中停产 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | 轴向 | 齐纳 | - | C，轴向 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 20.6V | 24.42V | 39.27V | 38.1A | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | ||||
| MXSMCJ12A | - | | 8709 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB，SMC | 齐纳 | SMCJ12 | - | DO-214AB（SMCJ） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 12V | 13.3V | 19.9V | 75.3a | 1500W（1.5kW） | 不 | |||
 | USBQNM50405E3/TR7 | 3.5700 | | 4933 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜125°C（TJ） | 以太网 | 表面安装 | 4-vdfn | 齐纳 | USBQNM50 | 3pf @ 1MHz | QFN-143 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 1 | 5V | 6V | 12V | 5a（8/20µs） | 500W | 不 | |||
| MDA3KP10CAE3 | 69.8100 | | 9863 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MDA | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | 16-SMD，鸥翼 | 齐纳 | - | - | 下载 | 到达不受影响 | 150-MDA3KP10CAE3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 10V | 11.1V | 17V | 176.4a | 3000W（3KW） | 不 | 1 | |||||
| MXSMBG22CAE3 | - | | 8959 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-215AA，SMB海鸥翼 | 齐纳 | SMBG22 | - | SMBG（DO-215AA） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 22V | 24.4V | 35.5V | 16.9a | 600W | 不 | 1 | |||
| MDA3KP7.5CA | 69.8100 | | 8166 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MDA | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | 16-SMD，鸥翼 | 齐纳 | - | - | 下载 | 到达不受影响 | 150-MDA3KP7.5CA | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 7.5V | 8.33V | 12.9V | 232.6a | 3000W（3KW） | 不 | 1 | |||||
| MSMLJ28CA/TR | 2.7600 | | 7106 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB，SMC | 齐纳 | SMLJ28 | - | SMLJ（do-214ab） | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | MSMLJ28CA/TRM | Ear99 | 8541.10.0080 | 400 | 28V | 31.1V | 45.4V | 66a | 3000W（3KW） | 不 | 1 | |||
 | MSMCG43CA | 1.8200 | | 418 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | do-215ab，SMC Gull机翼 | 齐纳 | SMCG43 | - | SMCG（do-215ab） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 43V | 47.8V | 69.4V | 21.6a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | |||
| mplad18kp33cae3 | 39.9000 | | 3733 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | PLAD18 | - | plad | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 33V | 36.7V | 53.3V | 338a | 18000W（18kw） | 不 | 1 | |||
| MSMLJ85AE3 | 2.4450 | | 6238 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB，SMC | 齐纳 | SMLJ85 | - | do-214ab | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 85V | 94.4V | 137V | 20.8a | 3000W（3KW） | 不 | |||
 | 1N6103A | 14.5800 | | 8178 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | B，轴向 | 齐纳 | 1N6103 | - | B，轴向 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 5.7V | 7.13V | 11.2V | 44.6a | 500W | 不 | 1 | |||
 | MXLSMBJ150CA | - | | 5944 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AA，SMB | 齐纳 | SMBJ150 | - | SMBJ（DO-214AA） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 150V | 167V | 243V | 2.5a | 600W | 不 | 1 | |||
| mxplad36kp24a | - | | 2650 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad36 | - | plad | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 24V | 26.7V | 39.8V | 905a | 36000W（36kW） | 不 | ||||
| MXSMLJ7.5AE3 | - | | 1089 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB，SMC | 齐纳 | SMLJ7.5 | - | do-214ab | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 7.5V | 8.33V | 12.9V | 232.6a | 3000W（3KW） | 不 | |||
| mxplad36kp16cae3 | - | | 1339 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad36 | - | plad | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 16V | 17.8V | 27.2v | 1324a（1.324KA） | 36000W（36kW） | 不 | 1 | ||||
| MXLLCE70AE3 | - | | 1488 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-201aa，do-27，轴向 | 齐纳 | LCE70 | 90pf @ 1MHz | 案例1 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 70V | 77.8V | 113V | 13.3a | 1500W（1.5kW） | 不 |
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