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（电视））（21773）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 申请 | 安装类型 | 包装 /案例 | 类型 | 电容 @频率 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 单向通道 | 电压 -反向对峙（典型） | 电压 -故障（最小） | 电压 -夹紧（最大） @ ipp | 电流 -10/1000µs） | 功率 -峰值脉冲 | 电力线保护 | 双向通道 | 年级 | 资格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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| 1N6466us/tr | 12.4900 | | 1438 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF，b | 齐纳 | - | B，平方米 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N6466us/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 30.5V | 33V | 47.5V | 63a（8/20µs） | 500W | 不 | ||||
 | lc33a/tr | 51.7050 | | 1975年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | 100pf @ 1MHz | DO-13（do-202AA） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-LC33A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 33V | 36.7V | 53.3V | 28.1a | 1500W（1.5kW） | 不 | ||||
| JANTXV1N5638A/TR | 54.2200 | | 5218 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | DO-202AA，DO-13，轴向 | 齐纳 | - | DO-13（do-202AA） | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N5638A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 13.6V | 15.2V | 22.5V | 67a | 1500W（1.5kW） | 不 | 军队 | - | ||
 | mxplad30kp22a/tr | - | | 8363 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | - | plad | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-MXPLAD30KP22A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 22V | 24.4V | 36.4V | 822a | 30000W（30kW） | 不 | ||||
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 | MXSMBJ78CA/TR | 26.7450 | | 4935 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AA，SMB | 齐纳 | - | SMBJ（DO-214AA） | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-MXSMBJ78CA/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 78V | 86.7V | 126V | 4.7a | 600W | 不 | 1 | ||||
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 | JANTX1N6132A/TR | 16.3200 | | 5265 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/516 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | B，轴向 | 齐纳 | - | B，轴向 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N6132A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 91.2V | 114V | 165.1V | 3a | 500W | 不 | 1 | ||||
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 | DLTS-30CA | 126.2102 | | 8300 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 积极的 | -55°C〜150°C（TA） | 通用目的 | 通过洞 | 16-CDIP （0.300英寸，7.62mm） | 齐纳 | 165pf @ 1MHz（1MHz） | 16-CDIP | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-DLTS-30CA | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 30V | 33.3V | 58.8V | 10a （8/20µs） | 500W | 不 | 15 | ||||
| Jan1n6069a/tr | 72.6005 | | 2209 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/507 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | - | DO-13（do-202AA） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JAN1N6069A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 150V | 171V | 261V | 5.7a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | ||||
 | 1N6158US/TR | 19.6401 | | 6383 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF，c | 齐纳 | - | C，SQ-MELF | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N6158US/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 35.8V | 44.7V | 64.6V | 23.2a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | ||||
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| JANTX1N6037A/TR | 85.5600 | | 3642 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/507 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | - | DO-13（do-202AA） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N6037A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 7V | 7.79V | 12.1V | 124a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | ||||
| LC26/tr | 43.5900 | | 8007 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | 100pf @ 1MHz | DO-13（do-202AA） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-LC26/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 26V | 28.9V | 46.6V | 32a | 1500W（1.5kW） | 不 | ||||
 | 1N6113AUS/TR | 15.0100 | | 9542 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF，b | 齐纳 | - | B，平方米 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N6113AUS/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 15.2V | 19v | 27.7V | 18a | 500W | 不 | 1 | ||||
 | JANTXV1N6127AUS/TR | 16.9500 | | 7770 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/516 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF，b | 齐纳 | - | B，平方米 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N6127AUS/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 56V | 71.3V | 103.1V | 4.8a | 500W | 不 | 1 | ||||
| JANTXV1N6122US | 19.4100 | | 8090 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/516 | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF，b | 齐纳 | - | B，平方米 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N6122U | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 35.8V | 44.7V | 64.6V | 7.7a | 500W | 不 | 1 | ||||
| 1N6367/tr | 19.0700 | | 7534 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | - | do-13 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N6367/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 12V | 14.1V | 17.1V | 70a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | ||||
| mplad130kp275cae3/tr | 52.3950 | | 6298 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | - | plad | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-MPLAD130KP275CAE3/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 275V | 300V | 445V | 90a | 40000W（40kW） | 不 | 1 | ||||
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| JANS1N6154A/TR | 115.3950 | | 2743 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/516 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | C，轴向 | 齐纳 | - | C，轴向 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N6154A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 25.1V | 31.4V | 45.7V | 32.8a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | ||||
| JANTXV1N5664A | 88.9002 | | 3272 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TA） | 通用目的 | 通过洞 | DO-202AA，DO-13，轴向 | 齐纳 | - | DO-13（do-202AA） | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N5664A | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 154V | 171V | 246V | 6.1a | 1500W（1.5kW） | 不 | 军队 | - | ||
| DLTS-30 | 126.2102 | | 5763 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 积极的 | -55°C〜150°C（TA） | 通用目的 | 通过洞 | 16-CDIP （0.300英寸，7.62mm） | 齐纳 | 220pf @ 1MHz （最大） | 16-CDIP | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-DLTS-30 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 15 | 30V | 33.3V | 65V | 10a （8/20µs） | 500W | 不 | ||||
| ICT-15E3 | 13.0301 | | 4765 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | DO-202AA，DO-13，轴向 | 齐纳 | - | DO-13（do-202AA） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-ICT-15E3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 15V | 17.6V | 20.6V | 60a | 1500W（1.5kW） | 不 | ||||
 | mv1n8166us/tr | 31.5402 | | 3429 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF，a | 齐纳 | - | a，平方米 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-MV1N8166US/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 36V | 40.9V | 59.1V | 2.54a | 150W | 不 | ||||
| 1N5653E3 | 19.6800 | | 2717 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TA） | 通用目的 | 通过洞 | DO-202AA，DO-13，轴向 | 齐纳 | - | DO-13（do-202AA） | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N5653E3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 55.1V | 61.2V | 98V | 15.3a | 1500W（1.5kW） | 不 | ||||
 | MSMCGLCE6.5AE3/tr | 4.8700 | | 7666 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | do-215ab，SMC Gull机翼 | 齐纳 | 100pf @ 1MHz | SMCG（do-215ab） | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-mSMCGLCE6.5AE3/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 6.5V | 7.22V | 11.2V | 100a | 1500W（1.5kW） | 不 | ||||
 | TVS315E 3/tr | 10.9600 | | 9187 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TA） | 通用目的 | 通过洞 | 轴向 | 齐纳 | - | a，轴向 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-TVS315E 3/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 15V | 16.7V | 25V | 5.9a | 150W | 不 |
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