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（电视））（21773）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 申请 | 安装类型 | 包装 /案例 | 类型 | 电容 @频率 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 单向通道 | 电压 -反向对峙（典型） | 电压 -故障（最小） | 电压 -夹紧（最大） @ ipp | 电流 -10/1000µs） | 功率 -峰值脉冲 | 电力线保护 | 双向通道 | 年级 | 资格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | LC9.0/tr | 37.7702 |  | 9340 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | 100pf @ 1MHz | DO-13（do-202AA） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-LC9.0/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 9V | 10V | 16.9V | 89a | 1500W（1.5kW） | 不 | ||||
 | 1N6148A/TR | 17.1101 | | 7420 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | B，轴向 | 齐纳 | - | B，轴向 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N6148A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 13.7V | 17.1V | 25.1V | 59.8a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | ||||
 | JANS1N6147A/TR | 115.3950 | | 3601 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/516 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | C，轴向 | 齐纳 | - | C，轴向 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N6147A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 12.2v | 15.2V | 22.3V | 67.3a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | ||||
| DLTS-17A | 126.2102 | | 6509 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 积极的 | -55°C〜150°C（TA） | 通用目的 | 通过洞 | 16 浸（0.300英寸，7.62mm） | 齐纳 | 330pf @ 1MHz （最大） | 16二滴 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-DLTS-17A | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 15 | 17V | 19.2v | 33.9V | 10a （8/20µs） | 500W | 不 | ||||
 | JANTX1N6153AUS/TR | 22.3201 | | 3610 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF，c | 齐纳 | - | C，SQ-MELF | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N6153AU/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 22.8V | 28.5V | 41.6V | 36a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | 军队 | - | ||
 | JANTX1N6152AUS/TR | 21.0501 | | 1085 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/516 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF，c | 齐纳 | - | C，SQ-MELF | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N6152AUS/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 20.6V | 25.7V | 37.4V | 40.1a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | ||||
| JANTXV1N5660A/TR | 89.0302 | | 2358 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/500 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | - | DO-13（do-202AA） | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N5660A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 111V | 124V | 179V | 8.4a | 1500W（1.5kW） | 不 | ||||
| JANTX1N6153US/TR | 19.6800 | | 3254 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/516 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF，c | 齐纳 | - | C，SQ-MELF | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N6153US/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 22.8V | 28.5V | 41.6V | 36a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | ||||
 | MXSMBJ18AE3/tr | 22.2601 | | 1007 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AA，SMB | 齐纳 | - | SMBJ（DO-214AA） | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-MXSMBJ18AE3/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 18V | 20V | 29.2V | 20.5a | 600W | 不 | 军队 | MIL-PRF-19500 | ||
 | JANTX1N6162A/TR | 15.6501 | | 1420 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/516 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | g，轴向 | 齐纳 | - | C，轴向 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N6162A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 51.7V | 64.6V | 97.1V | 15.4a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | ||||
| Jan1n6143a/tr | 14.1500 | | 9489 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/516 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | g，轴向 | 齐纳 | - | C，轴向 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JAN1N6143A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 8.4V | 10.45V | 15.6V | 96.2a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | ||||
| JANTX1N6167AUS/TR | 20.7601 | | 1142 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF，c | 齐纳 | - | C，SQ-MELF | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N6167AUS/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 86.6V | 104.5V | 151.3V | 9.9a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | 军队 | - | ||
| 1N6160AUS/TR | 19.8201 | | 5058 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF，c | 齐纳 | - | C，SQ-MELF | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N6160AUS/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 42.6V | 53.2V | 77V | 19.5a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | ||||
| 1N6364/tr | 19.0700 | | 8114 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | - | do-13 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N6364/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 45V | 52.9V | 70V | 19a | 1500W（1.5kW） | 不 | ||||
| TVS528/tr | 15.7701 | | 1476 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | B，轴向 | 齐纳 | - | B，轴向 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-TVS528/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 28V | 30.7V | 46.5V | 10.7A（8/20µs） | 500W | 不 | ||||
| ICT-15E3/tr | 13.1900 | | 1340 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | - | DO-13（do-202AA） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-ICT-15E3/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 15V | 17.6V | 20.6V | 60a | 1500W（1.5kW） | 不 | ||||
| 1N6358/tr | 19.0700 | | 1347 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | - | do-13 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N6358/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 10V | 11.7V | 14.1V | 90a | 1500W（1.5kW） | 不 | ||||
| JANTXV1N6167AUS/TR | 23.6001 | | 4421 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF，c | 齐纳 | - | C，SQ-MELF | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N6167AUS/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 86.6V | 104.5V | 151.3V | 9.9a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | 军队 | - | ||
| 1N6053A/tr | 26.6400 | | 4126 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | - | do-13 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N6053A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 33V | 37.1V | 53.9V | 28a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | ||||
| 1N6054/tr | 23.8800 | | 9657 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | - | do-13 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N6054/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 34V | 38.7V | 61.9V | 24a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | ||||
| TVS524E3 | 12.4900 | | 5095 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TA） | 通用目的 | 通过洞 | B，轴向 | 齐纳 | - | B，轴向 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-TVS524E3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 24V | 28.4V | 42V | 11.9a | 500W | 不 | ||||
| JANTXV1N5556/TR | 67.7404 | | 3322 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | DO-202AA，DO-13，轴向 | 齐纳 | - | DO-13（do-202AA） | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N5556/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 40.3V | 43.7V | 63.5V | 24a | 1500W（1.5kW） | 不 | 军队 | - | ||
| MXLPLAD7.5KP15CA/TR | 11.7000 | | 6747 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | - | 表面安装 | SMD | 齐纳 | - | 迷你计划 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-MXLPLAD7.5KP15CA/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 15V | 16.7V | 24.4V | 307a | 7500W（7.5kW） | 不 | 1 | 汽车 | |||
| 1N6072A/TR | 27.1200 | | 2007 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | - | do-13 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N6072A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 185V | 209V | 328V | 4.6a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | ||||
| JANS1N6159A/TR | 116.5050 | | 3308 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/516 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | C，轴向 | 齐纳 | - | C，轴向 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N6159A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 38.8V | 48.5V | 70.1V | 21.4a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | ||||
 | MXSMBG58A/TR | 22.3001 | | 1388 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-215AA，SMB海鸥翼 | 齐纳 | - | SMBG（DO-215AA） | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-MXSMBG58A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 58V | 64.4V | 93.6V | 6.4a | 600W | 不 | ||||
 | mxlce30a/tr | 30.1200 | | 1837年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-201aa，do-27，轴向 | 齐纳 | 100pf @ 1MHz | 案例1 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-MXLCE30A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 30V | 33.3V | 48.4V | 31a | 1500W（1.5kW） | 不 | ||||
| JANTXV1N5611/TR | - | | 4109 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/434 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | g，轴向 | 齐纳 | - | g，轴向 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N5611/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 40.3V | 43.7V | 63.5V | 24a | 1500W（1.5kW） | 不 | ||||
| JANTX1N6071A/TR | 106.8600 | | 3726 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/507 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | - | DO-13（do-202AA） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N6071A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 170V | 190V | 294V | 5.1a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | ||||
 | MSATS14S40LV | - | | 8393 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | Thinkey™3 | 齐纳 | - | Thinkey™3 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-MSATS14S40LV | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 36V | 40V | 58V | 250a | 14500W（14.5kW） | 不 |
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