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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 申请 | 安装类型 | 包装 /案例 | 类型 | 电容 @频率 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 单向通道 | 电压 -反向对峙(典型) | 电压 -故障(最小) | 电压 -夹紧(最大) @ ipp | 电流 -10/1000µs) | 功率 -峰值脉冲 | 电力线保护 | 双向通道 | 年级 | 资格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Jan1n6143a/tr | 14.1500 | ![]() | 9489 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/516 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | g,轴向 | 齐纳 | - | C,轴向 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JAN1N6143A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 8.4V | 10.45V | 15.6V | 96.2a | 1500W(1.5kW) | 不 | 1 | ||||
JANTX1N6167AUS/TR | 20.7601 | ![]() | 1142 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF,c | 齐纳 | - | C,SQ-MELF | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N6167AUS/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 86.6V | 104.5V | 151.3V | 9.9a | 1500W(1.5kW) | 不 | 1 | 军队 | - | |||
1N6160AUS/TR | 19.8201 | ![]() | 5058 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF,c | 齐纳 | - | C,SQ-MELF | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N6160AUS/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 42.6V | 53.2V | 77V | 19.5a | 1500W(1.5kW) | 不 | 1 | |||||
![]() | 1N6364/tr | 19.0700 | ![]() | 8114 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | - | do-13 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N6364/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 45V | 52.9V | 70V | 19a | 1500W(1.5kW) | 不 | ||||
![]() | TVS528/tr | 15.7701 | ![]() | 1476 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | B,轴向 | 齐纳 | - | B,轴向 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-TVS528/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 28V | 30.7V | 46.5V | 10.7A(8/20µs) | 500W | 不 | ||||
![]() | ICT-15E3/tr | 13.1900 | ![]() | 1340 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | - | DO-13(do-202AA) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-ICT-15E3/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 15V | 17.6V | 20.6V | 60a | 1500W(1.5kW) | 不 | ||||
![]() | 1N6358/tr | 19.0700 | ![]() | 1347 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | - | do-13 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N6358/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 10V | 11.7V | 14.1V | 90a | 1500W(1.5kW) | 不 | ||||
JANTXV1N6167AUS/TR | 23.6001 | ![]() | 4421 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF,c | 齐纳 | - | C,SQ-MELF | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N6167AUS/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 86.6V | 104.5V | 151.3V | 9.9a | 1500W(1.5kW) | 不 | 1 | 军队 | - | |||
![]() | 1N6053A/tr | 26.6400 | ![]() | 4126 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | - | do-13 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N6053A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 33V | 37.1V | 53.9V | 28a | 1500W(1.5kW) | 不 | 1 | ||||
![]() | 1N6054/tr | 23.8800 | ![]() | 9657 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | - | do-13 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N6054/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 34V | 38.7V | 61.9V | 24a | 1500W(1.5kW) | 不 | 1 | ||||
![]() | TVS524E3 | 12.4900 | ![]() | 5095 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TA) | 通用目的 | 通过洞 | B,轴向 | 齐纳 | - | B,轴向 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-TVS524E3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 24V | 28.4V | 42V | 11.9a | 500W | 不 | ||||
![]() | JANTXV1N5556/TR | 67.7404 | ![]() | 3322 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | DO-202AA,DO-13,轴向 | 齐纳 | - | DO-13(do-202AA) | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N5556/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 40.3V | 43.7V | 63.5V | 24a | 1500W(1.5kW) | 不 | 军队 | - | ||
![]() | MXLPLAD7.5KP15CA/TR | 11.7000 | ![]() | 6747 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | - | 表面安装 | SMD | 齐纳 | - | 迷你计划 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-MXLPLAD7.5KP15CA/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 15V | 16.7V | 24.4V | 307a | 7500W(7.5kW) | 不 | 1 | 汽车 | |||
![]() | 1N6072A/TR | 27.1200 | ![]() | 2007 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | - | do-13 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N6072A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 185V | 209V | 328V | 4.6a | 1500W(1.5kW) | 不 | 1 | ||||
![]() | JANS1N6159A/TR | 116.5050 | ![]() | 3308 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/516 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | C,轴向 | 齐纳 | - | C,轴向 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N6159A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 38.8V | 48.5V | 70.1V | 21.4a | 1500W(1.5kW) | 不 | 1 | ||||
![]() | MXSMBG58A/TR | 22.3001 | ![]() | 1388 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | DO-215AA,SMB海鸥翼 | 齐纳 | - | SMBG(DO-215AA) | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-MXSMBG58A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 58V | 64.4V | 93.6V | 6.4a | 600W | 不 | ||||
![]() | mxlce30a/tr | 30.1200 | ![]() | 1837年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-201aa,do-27,轴向 | 齐纳 | 100pf @ 1MHz | 案例1 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-MXLCE30A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 30V | 33.3V | 48.4V | 31a | 1500W(1.5kW) | 不 | ||||
![]() | JANTXV1N5611/TR | - | ![]() | 4109 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/434 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | g,轴向 | 齐纳 | - | g,轴向 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N5611/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 40.3V | 43.7V | 63.5V | 24a | 1500W(1.5kW) | 不 | ||||
![]() | JANTX1N6071A/TR | 106.8600 | ![]() | 3726 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/507 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | - | DO-13(do-202AA) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N6071A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 170V | 190V | 294V | 5.1a | 1500W(1.5kW) | 不 | 1 | ||||
![]() | MSATS14S40LV | - | ![]() | 8393 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | Thinkey™3 | 齐纳 | - | Thinkey™3 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-MSATS14S40LV | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 36V | 40V | 58V | 250a | 14500W(14.5kW) | 不 | ||||
![]() | 1N5660A/TR | 19.6800 | ![]() | 8566 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | - | do-13 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N5660A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 111V | 124V | 179V | 8.4a | 1500W(1.5kW) | 不 | ||||
![]() | MXLPLAD15KP17AE3/tr | - | ![]() | 7105 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | - | plad | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-MXLPLAD15KP17AE3/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 17V | 18.9V | 27.6V | 543a | 15000W(15kW) | 不 | 军队 | MIL-PRF-19500 | ||
![]() | LC160/tr | 43.5900 | ![]() | 8893 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | 90pf @ 1MHz | DO-13(do-202AA) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-LC160/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 160V | 178V | 287V | 5.2a | 1500W(1.5kW) | 不 | ||||
![]() | JANS1N6157AUS/TR | 150.7800 | ![]() | 4839 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/516 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF,c | 齐纳 | - | C,SQ-MELF | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N6157AUS/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 32.7V | 40.9V | 59.1V | 25.4a | 1500W(1.5kW) | 不 | 1 | ||||
![]() | LC40A/TR | 43.5900 | ![]() | 2900 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | 100pf @ 1MHz | DO-13(do-202AA) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-LC40A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 40V | 44.4V | 64.5V | 23.3a | 1500W(1.5kW) | 不 | ||||
JANS1N6126A/TR | 77.4750 | ![]() | 1340 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/516 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF,b | 齐纳 | - | B,平方米 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N6126A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 51.7V | 64.6V | 97.1V | 5.1a | 500W | 不 | 1 | |||||
![]() | MXLRT100KP48A/TR | - | ![]() | 8403 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-204ar,轴向 | 齐纳 | - | 案例5A(do-204AR) | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-MXLRT100KP48A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 48V | 53.3V | 94.3V | - | 100000W(100kW) | 不 | ||||
![]() | Jan1n6036a/tr | 58.1602 | ![]() | 1438 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/507 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | - | DO-13(do-202AA) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JAN1N6036A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 6V | 7.13V | 11.3V | 132a | 1500W(1.5kW) | 不 | 1 | ||||
TVS305SM/TR | 19.8801 | ![]() | 6006 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF,a | 齐纳 | - | A夫人 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-TVS305SM/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 5V | 6V | 8.7V | 17a (8/20µs) | 150W | 不 | |||||
![]() | 1N6359/tr | 19.0700 | ![]() | 3858 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | - | do-13 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N6359/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 12V | 14.1V | 16.5V | 70a | 1500W(1.5kW) | 不 |
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