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（电视））（21773）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 申请 | 安装类型 | 包装 /案例 | 类型 | 基本产品编号 | 电容 @频率 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 单向通道 | 电压 -反向对峙（典型） | 电压 -故障（最小） | 电压 -夹紧（最大） @ ipp | 电流 -10/1000µs） | 功率 -峰值脉冲 | 电力线保护 | 双向通道 | 年级 | 资格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MSMBJ78AE3 | 1.1250 |  | 2100 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AA，SMB | 齐纳 | SMBJ78 | - | SMBJ（DO-214AA） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 78V | 86.7V | 126V | 4.7a | 600W | 不 | |||||
 | MXLPLAD15KP7.0A | - | | 1831年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad15 | - | plad | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 7V | 7.78V | 12V | 1251A（1.251KA） | 15000W（15kW） | 不 | |||||
| MPLAD15KP17A | 23.4750 | | 1839年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad15 | - | plad | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 17V | 18.9V | 27.6V | 543a | 15000W（15kW） | 不 | |||||
 | mxplad15kp22ae3 | - | | 1722年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad15 | - | plad | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 22V | 24.4V | 35.5V | 423a | 15000W（15kW） | 不 | |||||
 | JAN1N6155AUS/TR | 17.0401 | | 1976年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF，c | 齐纳 | - | C，SQ-MELF | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JAN1N6155AUS/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 27.4V | 34.2V | 49.9V | 30.1a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | 军队 | - | ||||
| MX1.5KE11CA | - | | 1379 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-201aa，do-27，轴向 | 齐纳 | 1.5KE11 | - | 案例1 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 9.4V | 10.5V | 15.6V | 96a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | |||||
 | MXSMLJ20CA | - | | 2290 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB，SMC | 齐纳 | SMLJ20 | - | do-214ab | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 20V | 22.2v | 32.4V | 92.6a | 3000W（3KW） | 不 | 1 | |||||
 | MSMBG100A | 1.2000 | | 2979 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-215AA，SMB海鸥翼 | 齐纳 | SMBG100 | - | SMBG（DO-215AA） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 100V | 111V | 162V | 3.7a | 600W | 不 | |||||
| MASMLG10AE3 | 7.9500 | | 8888 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | do-215ab，SMC Gull机翼 | 齐纳 | SMLG10 | - | SMLG（do-215ab） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 10V | 11.1V | 17V | 176.4a | 3000W（3KW） | 不 | |||||
| MXSMCJLCE110A | - | | 4103 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB，SMC | 齐纳 | SMCJLCE110 | 90pf @ 1MHz | DO-214AB（SMCJ） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 110V | 122V | 178V | 8.4a | 1500W（1.5kW） | 不 | |||||
| MXPlad18KP30AE3 | - | | 6091 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | PLAD18 | - | plad | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 30V | 33.3V | 48.4V | 372a | 18000W（18kw） | 不 | ||||||
 | MXP4KE20A | - | | 8852 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-204al，do-41，轴向 | 齐纳 | P4KE20 | - | DO-204AL（DO-41） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 17.1V | 19v | 27.7V | 14.5a | 400W | 不 | |||||
 | MSMLJ75CAE3/tr | 2.7600 | | 5011 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB，SMC | 齐纳 | SMLJ75 | - | SMLJ（do-214ab） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | MSMLJ75CAE3/TRM | Ear99 | 8541.10.0080 | 400 | 75V | 83.3V | 121V | 24.8a | 3000W（3KW） | 不 | 1 | ||||
| MXSMCJ54CA | - | | 5882 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB，SMC | 齐纳 | SMCJ54 | - | DO-214AB（SMCJ） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 54V | 60V | 87.1V | 17.2a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | |||||
| MXPlad18KP18CA | - | | 9433 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | PLAD18 | - | plad | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 18V | 20V | 29.2V | 617a | 18000W（18kw） | 不 | 1 | ||||||
| MADA3KP8.0CAE3 | 81.5100 | | 2112 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MDA | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | 16-SMD，鸥翼 | 齐纳 | mada3kp | - | - | 下载 | 到达不受影响 | 150-MADA3KP8.0CAE3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 8V | 8.89V | 13.6V | 220.6a | 3000W（3KW） | 不 | 8 | ||||||
 | MX1N8161 | 33.4500 | | 1909年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | a，轴向 | 齐纳 | 1N8161 | - | a，轴向 | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 22V | 25.7V | 37.4V | 4.01a | 150W | 不 | ||||||
| mplad36kp220ca | 54.0450 | | 9472 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad36 | - | plad | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 220V | 245V | 356V | 102a | 36000W（36kW） | 不 | 1 | |||||
| MX1N8161US/TR | 31.5700 | | 4133 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF，a | 齐纳 | - | a，平方米 | 下载 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1 | 22V | 25.7V | 37.4V | 4.01a | 150W | 不 | ||||||||
 | SMAJ200AE3/TR13 | 0.4350 | | 2829 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | do-214ac，SMA | 齐纳 | SMAJ200 | - | DO-214AC（SMA） | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 1 | 200V | - | - | - | 500W | 不 | |||||
 | Mupt24 | 1.6500 | | 8602 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | do-216aa | 齐纳 | - | PowerMite 1（DO216-AA） | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 24V | 28.4V | 43.2V | 3.47a | 1000W（1kw） | 不 | |||||||
 | JANTXV1N6041A/TR | 105.4500 | | 3959 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/507 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | 1N6041 | - | DO-13（do-202AA） | - | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N6041A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 10V | 11.4V | 16.7V | 90a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | ||||||
| JANTX1N6068A | 106.7100 | | 2125 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/507 | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | 1N6068 | - | DO-13（do-202AA） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 145V | 162V | 245V | 6.1a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | |||||
| M1.5KE24AE3 | 3.2700 | | 2404 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-201aa，do-27，轴向 | 齐纳 | 1.5KE24 | - | 案例1 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 20.5V | 22.8V | 33.2V | 45a | 1500W（1.5kW） | 不 | |||||
| MXLSMLG15CA | - | | 4102 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | do-215ab，SMC Gull机翼 | 齐纳 | SMLG15 | - | SMLG（do-215ab） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 15V | 16.7V | 24.4V | 123a | 3000W（3KW） | 不 | 1 | |||||
| M5KP48A/TR | 7.0200 | | 6984 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 5kp | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | P600，轴向 | 齐纳 | - | P600 | - | 到达不受影响 | 150-m5kp48a/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1 | 48V | 53.3V | 77.4V | 64.6a | 5000W（5kW） | 不 | |||||||
 | maplad30kp18ae3 | 41.3302 | | 1118 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad30 | - | plad | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 18V | 20V | 30.8V | 975a | 30000W（30kW） | 不 | |||||
| MXSMBJ60CAE3 | - | | 8689 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AA，SMB | 齐纳 | SMBJ60 | - | SMBJ（DO-214AA） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 60V | 66.7V | 96.8V | 6.2a | 600W | 不 | 1 | |||||
| JANTXV1N5630A/TR | 54.2200 | | 1160 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | DO-202AA，DO-13，轴向 | 齐纳 | - | DO-13（do-202AA） | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N5630A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 6.4V | 7.13V | 11.3V | 132a | 1500W（1.5kW） | 不 | 军队 | - | ||||
| JANTXV1N6475US | 17.0250 | | 2869 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/552 | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF，G | 齐纳 | 1N6475 | - | G-MELF（D-5C） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 40.3V | 43.7V | 63.5V | 135a （8/20µs） | 1500W（1.5kW） | 不 |
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