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（电视））（21773）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 申请 | 安装类型 | 包装 /案例 | 类型 | 基本产品编号 | 电容 @频率 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 单向通道 | 电压 -反向对峙（典型） | 电压 -故障（最小） | 电压 -夹紧（最大） @ ipp | 电流 -10/1000µs） | 功率 -峰值脉冲 | 电力线保护 | 双向通道 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | JANTX1N6062A | 86.2350 |  | 9084 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/507 | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | 1N6062 | - | DO-13（do-202AA） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 75V | 86.5V | 125V | 12a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | |||
 | MXSMLJ6.5CA | - | | 6695 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB，SMC | 齐纳 | SMLJ6.5 | - | do-214ab | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 6.5V | 7.22V | 11.2V | 267.9a | 3000W（3KW） | 不 | 1 | |||
 | LC13 | 43.3950 | | 3757 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | LC13 | 100pf @ 1MHz | DO-13（do-202AA） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 13V | 14.4V | 23.8V | 63a | 1500W（1.5kW） | 不 | |||
 | JANTXV1N6110 | 26.8050 | | 8135 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/516 | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | B，轴向 | 齐纳 | 1N6110 | - | B，轴向 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 11.4V | 13.54V | 22.05V | 22.61a | 500W | 不 | 1 | |||
 | MASMLJ85CA/TR | 7.3600 | | 7449 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB，SMC | 齐纳 | SMLJ85 | - | SMLJ（do-214ab） | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | MASMLJ85CA/TRM | Ear99 | 8541.10.0080 | 200 | 85V | 94.4V | 137V | 20.8a | 3000W（3KW） | 不 | 1 | |||
| MX1.5KE160CAE3 | - | | 9264 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-201aa，do-27，轴向 | 齐纳 | 1.5KE160 | - | 案例1 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 136V | 152V | 219V | 6.8a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | |||
 | mp6ke8.2a | 2.4300 | | 5118 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | T-18，轴向 | 齐纳 | P6KE8.2 | - | T-18 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 7.02V | 7.79V | 12.1V | 50a | 600W | 不 | |||
 | SMAJ58AE3/TR13 | 0.3500 | | 4 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | do-214ac，SMA | 齐纳 | SMAJ58 | - | DO-214AC（SMA） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 1 | 58V | 64.4V | 93.6V | 5.3a | 500W | 不 | |||
 | MXLRT100KP250CA | - | | 8607 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-204ar，轴向 | 齐纳 | MXLRT100KP25 | - | 案例5A（do-204AR） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 250V | 278V | 493V | - | 100000W（100kW） | 不 | 1 | |||
| MXLP6KE11CAE3 | - | | 5202 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | T-18，轴向 | 齐纳 | P6KE11 | - | T-18 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 9.4V | 10.5V | 15.6V | 38a | 600W | 不 | 1 | |||
 | MAP4KE350AE3 | 11.0400 | | 1836年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-204al，do-41，轴向 | 齐纳 | P4KE350 | - | DO-204AL（DO-41） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 300V | 333V | 482V | 1a | 400W | 不 | |||
| 15KPA200E3/TR13 | 13.1550 | | 1802年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | P600，轴向 | 齐纳 | 15KPA200 | - | P600 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 1 | 200V | 210.6V | - | - | 15000W（15kW） | 不 | |||
| MSMCGLCE28A | 4.5150 | | 2129 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | do-215ab，SMC Gull机翼 | 齐纳 | SMCGLCE28 | 100pf @ 1MHz | SMCG（do-215ab） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 28V | 31.1V | 45.5V | 33a | 1500W（1.5kW） | 不 | |||
 | UPT28R/TR13 | 0.7500 | | 6018 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | do-216aa | 齐纳 | UPT2 | - | PowerMite 1（DO216-AA） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 12,000 | 1 | 28V | 31V | 47.8V | 3.13a | 1000W（1kw） | 不 | |||
| MXL15KP43A | - | | 3121 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-204ar，轴向 | 齐纳 | 15kp43 | - | 案例5A（do-204AR） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 43V | 47.8V | 69.7V | 215a | 15000W（15kW） | 不 | |||
| MXL5KP10AE3 | - | | 9445 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-204ar，轴向 | 齐纳 | 5kp10 | - | 案例5A（do-204AR） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 10V | 11.1V | 17V | 294a | 5000W（5kW） | 不 | |||
| MSMCJLCE80AE3 | 4.3350 | | 2254 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB，SMC | 齐纳 | SMCJLCE80 | 90pf @ 1MHz | DO-214AB（SMCJ） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 80V | 88.7V | 129V | 11.6a | 1500W（1.5kW） | 不 | |||
| JANS1N6154US | 139.2400 | | 4295 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N6154US | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | ||||||||||||||||||
 | MXLPLAD36KP90AE3 | - | | 1878年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad36 | - | plad | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 90V | 100V | 146V | 247a | 36000W（36kW） | 不 | ||||
 | JANTX1N6116AUS | - | | 2551 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/516 | 大部分 | 在sic中停产 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF，b | 齐纳 | - | B，平方米 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 20.6V | 25.7V | 37.4V | 13.4a | 500W | 不 | 1 | ||||
| M15KP36A | 19.5150 | | 7948 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-204ar，轴向 | 齐纳 | 15kp36 | - | do-204ar | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 36V | 40V | 59.7V | 251a | 15000W（15kW） | 不 | |||
 | MSMBJ130CAE3 | 1.1850 | | 3658 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AA，SMB | 齐纳 | SMBJ130 | - | SMBJ（DO-214AA） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 130V | 144V | 209V | 2.9a | 600W | 不 | 1 | |||
| MPLAD18KP28A/TR | 32.9850 | | 8708 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 汽车 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | PLAD18 | - | plad | - | 到达不受影响 | 150-MPLAD18KP28A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1 | 28V | 31.1V | 45.5V | 396a | 18000W（18kw） | 不 | ||||
| LC17 | 43.3950 | | 1416 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | LC17 | 100pf @ 1MHz | DO-13（do-202AA） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 17V | 18.9V | 30.5V | 49a | 1500W（1.5kW） | 不 | |||
 | maplad36kp180a | 50.4501 | | 8354 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad36 | - | plad | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 180V | 200V | 291V | 124a | 36000W（36kW） | 不 | ||||
| M5KP5.0AE3/tr | 7.0200 | | 7662 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 5kp | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | P600，轴向 | 齐纳 | - | P600 | - | 到达不受影响 | 150-m5kp5.0AE3/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1 | 5V | 6.4V | 9.2V | 543a | 5000W（5kW） | 不 | |||||
| MX15KP51CA | - | | 4595 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-204ar，轴向 | 齐纳 | 15kp51 | - | 案例5A（do-204AR） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 51V | 56.7V | 82.8V | 181a | 15000W（15kW） | 不 | 1 | |||
 | MXLPLAD7.5KP36CA | - | | 8903 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad7.5 | - | 迷你计划 | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 36V | 40V | 58.1V | 129a | 7500W（7.5kW） | 不 | 1 | ||||
 | JANTX1N6172A | - | | 2230 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/516 | 大部分 | 在sic中停产 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | g，轴向 | 齐纳 | - | C，轴向 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 136.8V | 171V | 245.7V | 6.1a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | ||||
| MXLPLAD18KP9.0AE3 | - | | 1562 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | PLAD18 | - | plad | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 90V | 100V | 146V | 124a | 18000W（18kw） | 不 |
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