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（电视））（21773）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 申请 | 安装类型 | 包装 /案例 | 类型 | 电容 @频率 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 单向通道 | 电压 -反向对峙（典型） | 电压 -故障（最小） | 电压 -夹紧（最大） @ ipp | 电流 -10/1000µs） | 功率 -峰值脉冲 | 电力线保护 | 双向通道 | 年级 | 资格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | DZ7222/tr | - |  | 7251 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-DZ7222/tr | 1 | ||||||||||||||||||||
| JANS1N6161US | 139.2400 | | 1390 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N6161US | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | ||||||||||||||||||
| JANS1N6112U | 90.7004 | | 1288 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N6112US | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | ||||||||||||||||||
| JANS1N6145US | 139.2400 | | 5201 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N6145US | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | ||||||||||||||||||
| JANS1N6159US | 139.2400 | | 8064 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N6159US | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | ||||||||||||||||||
| JANS1N6119 | 72.1602 | | 1087 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N6119 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | ||||||||||||||||||
| JANS1N6143US | 139.2400 | | 6416 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N6143US | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | ||||||||||||||||||
| ME2160 | - | | 9713 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-ME2160 | 1 | ||||||||||||||||||||
| JANS1N6148A/TR | 107.7004 | | 3447 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N6148A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | ||||||||||||||||||
| JANS1N6167US | 139.2400 | | 9830 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N6167US | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | ||||||||||||||||||
| JANS1N6107US | 90.7004 | | 1854年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N6107US | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | ||||||||||||||||||
| JANS1N6151US | 139.2400 | | 3903 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N6151US | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | ||||||||||||||||||
| DZ040804FE3/tr | - | | 9800 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-DZ040804FE3/tr | 1 | ||||||||||||||||||||
| JANS1N6135US | 92.1000 | | 7902 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N6135US | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | ||||||||||||||||||
 | 1N6069A/tr | 20.6850 | | 6971 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | - | do-13 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N6069A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 150V | 171V | 261V | 5.7a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | ||||
 | JANTX1N6111AUS/TR | 22.0950 | | 5769 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/516 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF，b | 齐纳 | - | B，平方米 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N6111AUS/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 12.2v | 15.2V | 22.3V | 22.4a | 500W | 不 | 1 | ||||
| JANTXV1N6038A/TR | 98.4306 | | 2237 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | DO-202AA，DO-13，轴向 | 齐纳 | - | DO-13（do-202AA） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N6038A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 7.5V | 8.65V | 13.4V | 112a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | 军队 | - | ||
 | mplad6.5kp24cae3/tr | 4.7200 | | 1033 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | - | plad | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-Mplad6.5kp24Cae3/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 24V | 26.7V | 38.9V | 167a | 6500W（6.5kW） | 不 | 1 | ||||
| Jan1n5636a | 54.2850 | | 6800 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/500 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TA） | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | - | DO-13（do-202AA） | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JAN1N5636A | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 11.1V | 12.4V | 18.2v | 82a | 1500W（1.5kW） | 不 | ||||
| Jan1n5657a/tr | 47.1802 | | 2027 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | DO-202AA，DO-13，轴向 | 齐纳 | - | DO-13（do-202AA） | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JAN1N5657A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 85.5V | 95V | 137V | 11a | 1500W（1.5kW） | 不 | 军队 | - | ||
 | JANS1N6149AUS/TR | 150.7800 | | 6569 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/516 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF，c | 齐纳 | - | C，SQ-MELF | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N6149AUS/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 15.2V | 19v | 27.7V | 54.2a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | ||||
| JANS1N6166AUS/TR | 149.3400 | | 3761 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/516 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF，c | 齐纳 | - | C，SQ-MELF | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N6166AUS/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 76V | 95V | 137.6V | 10.9a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | ||||
 | JANTX1N6161A/TR | 16.1200 | | 9194 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | g，轴向 | 齐纳 | - | C，轴向 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N6161A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 47.1V | 58.9V | 85.3V | 17.6a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | 军队 | - | ||
 | JAN1N6142AUS/TR | 17.0401 | | 1997 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF，c | 齐纳 | - | C，SQ-MELF | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JAN1N6142AUS/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 7.6V | 9.5V | 14.5V | 103.4a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | 军队 | - | ||
 | TVS328E3 | 10.8000 | | 6758 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TA） | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF，a | 齐纳 | - | a，平方米 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-TVS328E3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 28V | 30.7V | 46V | 3.2a | 150W | 不 | ||||
| JANTX1N6069A/TR | 106.8600 | | 4938 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/507 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | - | DO-13（do-202AA） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N6069A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 150V | 171V | 261V | 5.7a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | ||||
| mplad6.5kp12ae3/tr | 4.6000 | | 2902 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | - | plad | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-Mplad6.5KP12AE3/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 12V | 13.3V | 19.9V | 327a | 6500W（6.5kW） | 不 | ||||
| 1N6052A/TR | 25.6050 | | 1408 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | - | do-13 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N6052A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 30V | 34.2V | 49.9V | 30a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | ||||
 | mxplad30kp130cae3/tr | 112.8600 | | 1178 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | - | plad | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-MXPLAD30KP130CAE3/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 130V | 144V | 209V | 142a | 30000W（30kW） | 不 | 1 | ||||
 | masmcglce13a/tr | 5.5600 | | 9250 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | do-215ab，SMC Gull机翼 | 齐纳 | 100pf @ 1MHz | SMCG（do-215ab） | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-MASMCGLCE13A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 13V | 14.4V | 21.5V | 70a | 1500W（1.5kW） | 不 | 军队 | MIL-PRF-19500 |
2000+
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