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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 申请 | 安装类型 | 包装 /案例 | 类型 | 基本产品编号 | 电容 @频率 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 单向通道 | 电压 -反向对峙(典型) | 电压 -故障(最小) | 电压 -夹紧(最大) @ ipp | 电流 -10/1000µs) | 功率 -峰值脉冲 | 电力线保护 | 双向通道 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SMCJ85AE3/TR13 | 0.5700 | ![]() | 6090 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | 齐纳 | SMCJ85 | - | DO-214AB(SMCJ) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 1 | 85V | 94.4V | 137V | 10.4a | 1500W(1.5kW) | 不 | |||
![]() | JANTXV1N6135A | 19.4100 | ![]() | 3240 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/516 | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | B,轴向 | 齐纳 | 1N6135 | - | B,轴向 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 121.6V | 152V | 218.4V | 2.3a | 500W | 不 | 1 | |||
MXP4KE200A | - | ![]() | 5797 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 齐纳 | P4KE200 | - | DO-204AL(DO-41) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 171V | 190V | 274V | 1.5a | 400W | 不 | ||||
![]() | LC7.5A | 43.3950 | ![]() | 8004 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | LC7.5 | 100pf @ 1MHz | DO-13(do-202AA) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 7.5V | 8.33V | 12.9V | 100a | 1500W(1.5kW) | 不 | |||
![]() | Jan1n6136aus | 16.8000 | ![]() | 3356 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/516 | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF,b | 齐纳 | 1N6136 | - | B,平方米 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 136.8V | 171V | 245.7V | 2a | 500W | 不 | 1 | |||
![]() | mxllce12a | - | ![]() | 6538 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-201aa,do-27,轴向 | 齐纳 | LCE12 | 100pf @ 1MHz | 案例1 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 12V | 13.3V | 19.9V | 75a | 1500W(1.5kW) | 不 | |||
![]() | JANS1N6160A | 107.5602 | ![]() | 4892 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/516 | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | C,轴向 | 齐纳 | - | C,轴向 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 42.6V | 53.2V | 77V | 19.5a | 1500W(1.5kW) | 不 | 1 | |||||
![]() | 1N5556/tr | 20.9200 | ![]() | 6135 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | - | do-13 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N5556/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 40.3V | 43.7V | 63.5V | 24a | 1500W(1.5kW) | 不 | ||||
![]() | 1N6167 | 19.5450 | ![]() | 2343 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/516 | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | C,轴向 | 齐纳 | 1N6167 | - | C,轴向 | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | 1N6167MS | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 86.6V | 104.5V | 151.3V | 9.9a | 1500W(1.5kW) | 不 | 1 | |||
MAP4KE43CA | 8.6100 | ![]() | 5384 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 齐纳 | P4KE43 | - | DO-204AL(DO-41) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 36.8V | 40.9V | 59.3V | 7a | 400W | 不 | 1 | ||||
![]() | MASMLJ48AE3/tr | 6.8700 | ![]() | 4994 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | 齐纳 | SMLJ48 | - | SMLJ(do-214ab) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | MASMLJ48AE3/TRM | Ear99 | 8541.10.0080 | 200 | 1 | 48V | 53.3V | 77.4V | 38.8a | 3000W(3KW) | 不 | ||
![]() | mxplad18kp8.0a | - | ![]() | 6161 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | PLAD18 | - | plad | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 8V | 8.89V | 13.6V | 1324a(1.324KA) | 18000W(18kw) | 不 | ||||
![]() | MXLSMCJ28A/TR | 11.0100 | ![]() | 1132 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | 齐纳 | SMCJ28 | - | SMCJ(do-214ab) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | MXLSMCJ28A/TRM | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 28V | 31.1V | 45.4V | 33a | 1500W(1.5kW) | 不 | 1 | |||
![]() | MXSMCJ51A/TR | 18.1950 | ![]() | 3142 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | 齐纳 | SMCJ51 | - | SMCJ(do-214ab) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | MXSMCJ51A/TRM | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 51V | 56.7V | 82.4V | 18.2a | 1500W(1.5kW) | 不 | 1 | |||
![]() | MXLPLAD30KP17CA | - | ![]() | 8507 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad30 | - | plad | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 17V | 18.9V | 28.8V | 1041A(1.041KA) | 30000W(30kW) | 不 | 1 | |||
![]() | MSMBJ5369C | 3.9600 | ![]() | 1419 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AA,SMB | 齐纳 | - | SMBJ(DO-214AA) | - | 到达不受影响 | 150-mSMBJ5369C | 1 | - | - | - | - | 600W | 不 | 1 | |||||||
![]() | JANS1N6151 | 115.2300 | ![]() | 5683 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/516 | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | C,轴向 | 齐纳 | - | C,轴向 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 18.2v | 22.8V | 33.3V | 45a | 1500W(1.5kW) | 不 | 1 | |||||
![]() | MSMCJ100CA/TR | 2.8950 | ![]() | 6115 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | 齐纳 | SMCJ100 | - | SMCJ(do-214ab) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | MSMCJ100CA/TRM | Ear99 | 8541.10.0080 | 400 | 100V | 111V | 162V | 9.3a | 1500W(1.5kW) | 不 | 1 | |||
MX1N8160US | 33.6750 | ![]() | 6437 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF,a | 齐纳 | 1N8160 | - | D-5A | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 20V | 22.8V | 33.3V | 4.5a | 150W | 不 | |||||
![]() | maplad15kp28a | 32.4750 | ![]() | 2344 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad15 | - | plad | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 28V | 31.1V | 45.5V | 330a | 15000W(15kW) | 不 | |||
![]() | 1N5649 | 18.1200 | ![]() | 4447 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TA) | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | 1N5649 | - | DO-13(do-202AA) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | 1N5649MS | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 38.1V | 42.3V | 67.8V | 22.2a | 1500W(1.5kW) | 不 | |||
MRT100KP220CA/TR | 29.2950 | ![]() | 4940 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-204ar,轴向 | 齐纳 | MRT100KP | - | do-204ar | - | 到达不受影响 | 150-MRT100KP220CA/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 220V | 245V | 434V | 231a | 100000W(100kW) | 不 | 1 | |||||
![]() | MADA3KP9.0CA | 81.5100 | ![]() | 6507 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MDA | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | 16-SMD,鸥翼 | 齐纳 | mada3kp | - | - | 下载 | 到达不受影响 | 150-MADA3KP9.0CA | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 9V | 10V | 15.4V | 194.8a | 3000W(3KW) | 不 | 8 | ||||
![]() | mplad36kp130ae3 | 38.2200 | ![]() | 7148 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad36 | - | plad | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 130V | 144V | 209V | 173a | 36000W(36kW) | 不 | |||
![]() | MXSMCG160CAE3 | - | ![]() | 2942 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | do-215ab,SMC Gull机翼 | 齐纳 | SMCG160 | - | SMCG(do-215ab) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 160V | 178V | 259V | 5.8a | 1500W(1.5kW) | 不 | 1 | |||
![]() | MASMBG12AE3 | 5.7750 | ![]() | 8444 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | DO-215AA,SMB海鸥翼 | 齐纳 | SMBG12 | - | SMBG(DO-215AA) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 12V | 13.3V | 19.9V | 30.2a | 600W | 不 | |||
![]() | MXSMBJ22CAE3 | - | ![]() | 6038 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AA,SMB | 齐纳 | SMBJ22 | - | SMBJ(DO-214AA) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 22V | 24.4V | 35.5V | 16.9a | 600W | 不 | 1 | |||
![]() | mxplad15kp64ae3 | - | ![]() | 1378 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad15 | - | plad | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 64V | 71.1V | 103V | 147a | 15000W(15kW) | 不 | |||
![]() | MSMCJ150CAE3 | 1.6950 | ![]() | 4890 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | 齐纳 | SMCJ150 | - | DO-214AB(SMCJ) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 150V | 167V | 243V | 6.2a | 1500W(1.5kW) | 不 | 1 | |||
![]() | MSMCJ12A/TR | 1.5300 | ![]() | 6844 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | 齐纳 | SMCJ12 | - | SMCJ(do-214ab) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | MSMCJ12A/TRM | Ear99 | 8541.10.0080 | 600 | 12V | 13.3V | 19.9V | 75.3a | 1500W(1.5kW) | 不 | 1 |
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