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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	申请	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	电容 @频率	供应商设备包	数据表	Rohs状态	达到状态	ECCN	htsus	标准包	单向通道	电压 -反向对峙（典型）	电压 -故障（最小）	电压 -夹紧（最大） @ ipp	电流 -10/1000µs）	功率 -峰值脉冲	电力线保护	双向通道
MX1N8161	33.4500	RFQ	1909年	微芯片技术	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通用目的	通过洞	a，轴向	齐纳	1N8161	-	a，轴向	下载	Rohs不合规	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1	1	22V	25.7V	37.4V	4.01a	150W	不
MX1N8162	33.4500	RFQ	9476	微芯片技术	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通用目的	通过洞	a，轴向	齐纳	1N8162	-	a，轴向	下载	Rohs不合规	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1	1	25V	28.5V	41.6V	3.6a	150W	不
MX1N8162U	33.6750	RFQ	5972	微芯片技术	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通用目的	表面安装	SQ-MELF，a	齐纳	1N8162	-	D-5A	下载	Rohs不合规	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1	1	25V	28.5V	41.6V	3.6a	150W	不
MX1N8165	28.9802	RFQ	7988	微芯片技术	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通用目的	通过洞	a，轴向	齐纳	1N8165	-	a，轴向	下载	Rohs不合规	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1	1	33V	37.1V	53.6V	2.8a	150W	不
MX1N8166	33.4500	RFQ	6781	微芯片技术	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通用目的	通过洞	a，轴向	齐纳	1N8166	-	a，轴向	下载	Rohs不合规	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1	1	36V	40.9V	59.1V	2.54a	150W	不
MX1N8166US	34.0050	RFQ	8002	微芯片技术	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通用目的	表面安装	SQ-MELF，a	齐纳	1N8166	-	D-5A	下载	Rohs不合规	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1	1	36V	40.9V	59.1V	2.54a	150W	不
MX1N8170	33.4500	RFQ	6953	微芯片技术	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通用目的	通过洞	a，轴向	齐纳	1N8170	-	a，轴向	下载	Rohs不合规	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1	1	53V	58.9V	85.3V	1.76a	150W	不
maplad7.5kp11ca	9.2850	RFQ	6465	微芯片技术	军事，19500年的MIL-PRF	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通用目的	表面安装	SMD	齐纳	plad7.5	-	迷你计划	下载	Rohs不合规	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1		11V	12.2v	18.2v	412a	7500W（7.5kW）	不	1
maplad7.5kp12a	7.5300	RFQ	2847	微芯片技术	军事，19500年的MIL-PRF	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通用目的	表面安装	SMD	齐纳	plad7.5	-	迷你计划	下载	Rohs不合规	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1	1	12V	13.3V	19.9V	377a	7500W（7.5kW）	不
maplad7.5kp12cae3	8.9400	RFQ	6828	微芯片技术	军事，19500年的MIL-PRF	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通用目的	表面安装	SMD	齐纳	plad7.5	-	迷你计划	下载	rohs3符合条件	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1		12V	13.3V	19.9V	377a	7500W（7.5kW）	不	1
maplad7.5kp13ae3	8.3400	RFQ	7844	微芯片技术	军事，19500年的MIL-PRF	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通用目的	表面安装	SMD	齐纳	plad7.5	-	迷你计划	下载	rohs3符合条件	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1	1	13V	14.4V	21.5V	349a	7500W（7.5kW）	不
maplad7.5kp14a	8.6850	RFQ	4068	微芯片技术	军事，19500年的MIL-PRF	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通用目的	表面安装	SMD	齐纳	plad7.5	-	迷你计划	下载	Rohs不合规	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1	1	14V	15.6V	23.2v	323a	7500W（7.5kW）	不
maplad7.5kp14cae3	8.9400	RFQ	6922	微芯片技术	军事，19500年的MIL-PRF	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通用目的	表面安装	SMD	齐纳	plad7.5	-	迷你计划	下载	rohs3符合条件	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1		14V	15.6V	23.2v	323a	7500W（7.5kW）	不	1
maplad7.5kp15ae3	8.3400	RFQ	6665	微芯片技术	军事，19500年的MIL-PRF	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通用目的	表面安装	SMD	齐纳	plad7.5	-	迷你计划	下载	rohs3符合条件	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1	1	15V	16.7V	24.4V	307a	7500W（7.5kW）	不
maplad7.5kp15cae3	7.7500	RFQ	2813	微芯片技术	军事，19500年的MIL-PRF	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通用目的	表面安装	SMD	齐纳	plad7.5	-	迷你计划	下载	rohs3符合条件	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1		15V	16.7V	24.4V	307a	7500W（7.5kW）	不	1
maplad7.5kp16cae3	7.7500	RFQ	5377	微芯片技术	军事，19500年的MIL-PRF	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通用目的	表面安装	SMD	齐纳	plad7.5	-	迷你计划	下载	rohs3符合条件	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1		16V	17.8V	26V	288a	7500W（7.5kW）	不	1
maplad7.5kp17cae3	8.9400	RFQ	8297	微芯片技术	军事，19500年的MIL-PRF	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通用目的	表面安装	SMD	齐纳	plad7.5	-	迷你计划	下载	rohs3符合条件	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1		17V	18.9V	27.6V	272a	7500W（7.5kW）	不	1
maplad7.5kp18a	8.6850	RFQ	3235	微芯片技术	军事，19500年的MIL-PRF	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通用目的	表面安装	SMD	齐纳	plad7.5	-	迷你计划	下载	Rohs不合规	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1	1	18V	20V	29.2V	257a	7500W（7.5kW）	不
maplad7.5kp18ae3	8.3400	RFQ	8001	微芯片技术	军事，19500年的MIL-PRF	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通用目的	表面安装	SMD	齐纳	plad7.5	-	迷你计划	下载	rohs3符合条件	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1	1	18V	20V	29.2V	257a	7500W（7.5kW）	不
maplad7.5kp18ca	9.2850	RFQ	5185	微芯片技术	军事，19500年的MIL-PRF	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通用目的	表面安装	SMD	齐纳	plad7.5	-	迷你计划	下载	Rohs不合规	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1		18V	20V	29.2V	257a	7500W（7.5kW）	不	1
maplad7.5kp18cae3	8.9400	RFQ	6302	微芯片技术	军事，19500年的MIL-PRF	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通用目的	表面安装	SMD	齐纳	plad7.5	-	迷你计划	下载	rohs3符合条件	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1		18V	20V	29.2V	257a	7500W（7.5kW）	不	1
maplad7.5kp26ca	9.2850	RFQ	5378	微芯片技术	军事，19500年的MIL-PRF	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通用目的	表面安装	SMD	齐纳	plad7.5	-	迷你计划	下载	Rohs不合规	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1		26V	28.9V	42.1V	178a	7500W（7.5kW）	不	1
maplad7.5kp28ca	9.2850	RFQ	6703	微芯片技术	军事，19500年的MIL-PRF	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通用目的	表面安装	SMD	齐纳	plad7.5	-	迷你计划	下载	Rohs不合规	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1		28V	31.1V	45.5V	165a	7500W（7.5kW）	不	1
maplad7.5kp30ae3	8.3400	RFQ	1980	微芯片技术	军事，19500年的MIL-PRF	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通用目的	表面安装	SMD	齐纳	plad7.5	-	迷你计划	下载	rohs3符合条件	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1	1	30V	33.3V	48.4V	155a	7500W（7.5kW）	不
maplad7.5kp30ca	8.0400	RFQ	7631	微芯片技术	军事，19500年的MIL-PRF	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通用目的	表面安装	SMD	齐纳	plad7.5	-	迷你计划	下载	Rohs不合规	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1		30V	33.3V	48.4V	155a	7500W（7.5kW）	不	1
maplad7.5kp33a	8.6850	RFQ	7759	微芯片技术	军事，19500年的MIL-PRF	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通用目的	表面安装	SMD	齐纳	plad7.5	-	迷你计划	下载	Rohs不合规	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1	1	33V	36.7V	53.3V	141a	7500W（7.5kW）	不
maplad7.5kp36a	8.6850	RFQ	4700	微芯片技术	军事，19500年的MIL-PRF	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通用目的	表面安装	SMD	齐纳	plad7.5	-	迷你计划	下载	Rohs不合规	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1	1	36V	40V	58.1V	129a	7500W（7.5kW）	不
maplad7.5kp36ca	9.2850	RFQ	5668	微芯片技术	军事，19500年的MIL-PRF	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通用目的	表面安装	SMD	齐纳	plad7.5	-	迷你计划	下载	Rohs不合规	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1		36V	40V	58.1V	129a	7500W（7.5kW）	不	1
maplad7.5kp43ae3	8.3400	RFQ	8750	微芯片技术	军事，19500年的MIL-PRF	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通用目的	表面安装	SMD	齐纳	plad7.5	-	迷你计划	下载	rohs3符合条件	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1	1	43V	47.8V	69.4V	108a	7500W（7.5kW）	不
maplad7.5kp43cae3	8.9400	RFQ	4028	微芯片技术	军事，19500年的MIL-PRF	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通用目的	表面安装	SMD	齐纳	plad7.5	-	迷你计划	下载	rohs3符合条件	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1		43V	47.8V	69.4V	108a	7500W（7.5kW）	不	1

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（电视））（21773）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²