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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 申请 | 安装类型 | 包装 /案例 | 类型 | 基本产品编号 | 电容 @频率 | 供应商设备包 | 数据表 | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 单向通道 | 电压 -反向对峙(典型) | 电压 -故障(最小) | 电压 -夹紧(最大) @ ipp | 电流 -10/1000µs) | 功率 -峰值脉冲 | 电力线保护 | 双向通道 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | M5KP40A/TR | 7.0200 | ![]() | 8517 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 5kp | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | P600,轴向 | 齐纳 | - | P600 | - | 到达不受影响 | 150-m5kp40a/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1 | 40V | 44.4V | 64.5V | 77.5A | 5000W(5kW) | 不 | |||
MS1N8159US/TR | 167.4900 | ![]() | 2180 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF,a | 齐纳 | - | a,平方米 | - | 到达不受影响 | 150-MS1N8159US/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1 | 18V | 20.9V | 30.5V | 4.92a | 150W | 不 | ||||
M15KP220CA/TR | 26.6250 | ![]() | 9147 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-204ar,轴向 | 齐纳 | M15kp | - | do-204ar | - | 到达不受影响 | 150-M15KP220CA/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 220V | 245V | 356V | 42a | 15000W(15kW) | 不 | 1 | |||
![]() | JANTXV1N5642A/TR | 63.1650 | ![]() | 3935 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/500 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C〜175°C | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | 1N5642 | - | DO-13(do-202AA) | - | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N5642A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1 | 20.5V | 22.8V | 33.2V | 45a | 1500W(1.5kW) | 不 | ||
![]() | Jan1n6065a/tr | 83.7750 | ![]() | 1624年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/507 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | 1N6065 | - | DO-13(do-202AA) | - | 到达不受影响 | 150-JAN1N6065A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 100V | 114V | 168V | 8.9a | 1500W(1.5kW) | 不 | 1 | ||
![]() | MXSMCJ28AE3/tr | 16.3050 | ![]() | 3897 | 0.00000000 | 微芯片技术 | SMCG | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | 齐纳 | - | SMCJ(do-214ab) | - | 到达不受影响 | 150-MXSMCJ28AE3/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1 | 28V | 31.1V | 45.4V | 33a | 1500W(1.5kW) | 不 | |||
![]() | M5KP51AE3/tr | 7.0200 | ![]() | 1363 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 5kp | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | P600,轴向 | 齐纳 | - | P600 | - | 到达不受影响 | 150-m5kp51Ae3/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1 | 51V | 56.7V | 82.4V | 60.7a | 5000W(5kW) | 不 | |||
![]() | MSMBG5352B/TR | 3.9600 | ![]() | 8184 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | DO-215AA,SMB海鸥翼 | 齐纳 | - | SMBG(DO-215AA) | - | 到达不受影响 | 150 MSMBG5352B/TR | 300 | 1 | - | - | - | - | 600W | 不 | |||||
![]() | M1.5KE7.5CA/tr | 3.6450 | ![]() | 3512 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-201aa,do-27,轴向 | 齐纳 | 1.5KE7.5 | - | 案例1 | - | 到达不受影响 | 150-M1.5KE7.5CA/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 6.4V | 7.13V | 11.3V | 132a | 1500W(1.5kW) | 不 | 1 | ||
MRT100KP45CAE3/tr | 29.2950 | ![]() | 1421 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-204ar,轴向 | 齐纳 | MRT100KP | - | do-204ar | - | 到达不受影响 | 150-MRT100KP45CAE3/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 45V | 50V | 88.5V | 1130a (1.13KA) | 100000W(100kW) | 不 | 1 | |||
![]() | MSMBJ5378B/TR | 3.9600 | ![]() | 5277 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AA,SMB | 齐纳 | - | SMBJ(DO-214AA) | - | 到达不受影响 | 150-MSMBJ5378B/TR | 300 | 1 | - | - | - | - | 600W | 不 | |||||
![]() | MASMCJ36CA/TR | 6.7500 | ![]() | 5772 | 0.00000000 | 微芯片技术 | SMCG | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | 齐纳 | - | SMCJ(do-214ab) | - | 到达不受影响 | 150-MASMCJ36CA/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 200 | 36V | 40V | 58.1V | 25.8a | 1500W(1.5kW) | 不 | 1 | |||
![]() | MSMBG5359B/TR | 3.9600 | ![]() | 6092 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | DO-215AA,SMB海鸥翼 | 齐纳 | - | SMBG(DO-215AA) | - | 到达不受影响 | 150-mSMBG5359B/tr | 300 | 1 | - | - | - | - | 600W | 不 | |||||
![]() | M1.5KE62CAE3/tr | 3.6450 | ![]() | 9855 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-201aa,do-27,轴向 | 齐纳 | 1.5KE62 | - | 案例1 | - | 到达不受影响 | 150-m1.5ke62cae3/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 53V | 58.9V | 85V | 17.7a | 1500W(1.5kW) | 不 | 1 | ||
![]() | JANTXV1N6061A/TR | 113.7300 | ![]() | 9026 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/507 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | 1N6061 | - | DO-13(do-202AA) | - | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N6061A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 70V | 77.9V | 113V | 13.3a | 1500W(1.5kW) | 不 | 1 | ||
![]() | MXDLTS-30C | - | ![]() | 3488 | 0.00000000 | 微芯片技术 | DLTS | 管子 | 积极的 | -55°C〜150°C(TA) | 通用目的 | 通过洞 | 16-CDIP (0.300英寸,7.62mm) | 齐纳 | 165pf @ 1MHz(1MHz) | 16-CDIP | - | 到达不受影响 | 150-MXDLTS-30C | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 30V | 33.3V | 65V | 10a (8/20µs) | 500W | 不 | 15 | |||
![]() | JANTXV1N6055A/TR | 113.7300 | ![]() | 2274 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/507 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | 1N6055 | - | DO-13(do-202AA) | - | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N6055A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 40V | 44.7V | 64.8V | 23.2a | 1500W(1.5kW) | 不 | 1 | ||
MRT100KP78CAE3/tr | 29.2950 | ![]() | 7888 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-204ar,轴向 | 齐纳 | MRT100KP | - | do-204ar | - | 到达不受影响 | 150-MRT100KP78CAE3/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 78V | 86.7V | 153V | 655a | 100000W(100kW) | 不 | 1 | |||
![]() | M5KP70AE3/tr | 7.0200 | ![]() | 7277 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 5kp | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | P600,轴向 | 齐纳 | - | P600 | - | 到达不受影响 | 150-M5KP70AE3/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1 | 70V | 77.8V | 113V | 44.2a | 5000W(5kW) | 不 | |||
![]() | Jan1n5635a/tr | 54.4500 | ![]() | 3753 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/500 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C〜175°C | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | 1N5635 | - | DO-13(do-202AA) | - | 到达不受影响 | 150-JAN1N5635A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1 | 10.2V | 11.4V | 16.7V | 90a | 1500W(1.5kW) | 不 | ||
![]() | JANTXV1N6041A/TR | 105.4500 | ![]() | 3959 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/507 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | 1N6041 | - | DO-13(do-202AA) | - | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N6041A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 10V | 11.4V | 16.7V | 90a | 1500W(1.5kW) | 不 | 1 | ||
![]() | MASMCJ8.5CAE3/tr | 6.7500 | ![]() | 5421 | 0.00000000 | 微芯片技术 | SMCG | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | 齐纳 | - | SMCJ(do-214ab) | - | 到达不受影响 | 150-MASMCJ8.5CAE3/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 8.5V | 9.44V | 14.4V | 104.2a | 1500W(1.5kW) | 不 | 1 | |||
![]() | mplad36kp40cae3/tr | 47.7150 | ![]() | 1804年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 汽车 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad36 | - | plad | 下载 | 到达不受影响 | 150-Mplad36KP40CAE3/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 40V | 44.4V | 64.5V | 559a | 36000W(36kW) | 不 | 1 | ||
![]() | MSMBJ5347B/TR | 3.9600 | ![]() | 2603 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AA,SMB | 齐纳 | - | SMBJ(DO-214AA) | - | 到达不受影响 | 150-MSMBJ5347B/TR | 300 | 1 | - | - | - | - | 600W | 不 | |||||
![]() | MXLPLAD18KP15CA/TR | 56.4900 | ![]() | 5879 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 汽车 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | PLAD18 | - | plad | - | 到达不受影响 | 150-MXLPLAD18KP15CA/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 15V | 16.7V | 24.4V | 738a | 18000W(18kw) | 不 | 1 | ||
![]() | MXLSMCJ70CAE3/tr | 11.7750 | ![]() | 3744 | 0.00000000 | 微芯片技术 | SMCG | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | 齐纳 | - | SMCJ(do-214ab) | - | 到达不受影响 | 150-MXLSMCJ70CAE3/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 70V | 77.8V | 113V | 13.3a | 1500W(1.5kW) | 不 | 1 | |||
![]() | SMLJ16E3/TR13 | 1.5750 | ![]() | 2524 | 0.00000000 | 微芯片技术 | SMLJ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C〜150°C(TA) | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | 齐纳 | - | SMLJ(do-214ab) | - | 到达不受影响 | 150-SMLJ16E3/TR13TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 1 | 16V | 17.8V | 28.8V | 104.2a | 3000W(3KW) | 不 | |||
![]() | JANTXV1N6046A/TR | 105.4500 | ![]() | 5324 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/507 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | 1N6046 | - | DO-13(do-202AA) | - | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N6046A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 17V | 19v | 27.7V | 54a | 1500W(1.5kW) | 不 | 1 | ||
![]() | mplad36kp75ca/tr | 47.7150 | ![]() | 1406 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 汽车 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad36 | - | plad | 下载 | 到达不受影响 | 150-Mplad36Kp75CA/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 75V | 83.3V | 121V | 298a | 36000W(36kW) | 不 | 1 | ||
![]() | MRT65KP48CAE3/tr | 32.4750 | ![]() | 5457 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜150°C | 通用目的 | 通过洞 | do-204ar,轴向 | 齐纳 | - | 案例5A(do-204AR) | - | 到达不受影响 | 150-MRT65KP48CAE3/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 48v (最大) | 53.3V | 77.7V | 836a | 65000W(65kW) | 不 | 1 |
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