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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 申请 | 安装类型 | 包装 /案例 | 类型 | 基本产品编号 | 电容 @频率 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | 达到状态 | ECCN | htsus | 标准包 | 单向通道 | 电压 -反向对峙(典型) | 电压 -故障(最小) | 电压 -夹紧(最大) @ ipp | 电流 -10/1000µs) | 功率 -峰值脉冲 | 电力线保护 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MQ1N8158 | 30.4050 | ![]() | 7892 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | a,轴向 | 齐纳 | 1N8158 | - | a,轴向 | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 17V | 19v | 27.7V | 5.42a | 150W | 不 | ||
MQ1N8158US | 26.5500 | ![]() | 7604 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF,a | 齐纳 | 1N8158 | - | D-5A | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 17V | 19v | 27.7V | 5.42a | 150W | 不 | ||
MQ1N8165US | 30.6450 | ![]() | 9648 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF,a | 齐纳 | 1N8165 | - | D-5A | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 33V | 37.1V | 53.6V | 2.8a | 150W | 不 | ||
MQ1N8166US | 30.6450 | ![]() | 7135 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF,a | 齐纳 | 1N8166 | - | D-5A | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 36V | 40.9V | 59.1V | 2.54a | 150W | 不 | ||
MQ1N8167US | 30.6450 | ![]() | 8494 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF,a | 齐纳 | 1N8167 | - | D-5A | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 40V | 44.7V | 64.6V | 2.32a | 150W | 不 | ||
MQ1N8169 | 30.4050 | ![]() | 3138 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | a,轴向 | 齐纳 | 1N8169 | - | a,轴向 | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 47V | 53.2V | 77V | 1.95a | 150W | 不 | ||
MQ1N8171US | 30.6450 | ![]() | 5234 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF,a | 齐纳 | 1N8171 | - | D-5A | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 58V | 64.6V | 93.7V | 1.6a | 150W | 不 | ||
MQ1N8173 | 30.4050 | ![]() | 6345 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | a,轴向 | 齐纳 | 1N8173 | - | a,轴向 | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 70V | 77.9V | 113V | 1.32a | 150W | 不 | ||
MQ1N8173US | 26.5500 | ![]() | 9239 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF,a | 齐纳 | 1N8173 | - | D-5A | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 70V | 77.9V | 113V | 1.32a | 150W | 不 | ||
MQ1N8175 | 30.4050 | ![]() | 4647 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | a,轴向 | 齐纳 | 1N8175 | - | a,轴向 | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 82V | 95V | 137V | 1.09a | 150W | 不 | ||
MQ1N8176 | 30.4050 | ![]() | 6783 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | a,轴向 | 齐纳 | 1N8176 | - | a,轴向 | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 94V | 104V | 152V | 980mA | 150W | 不 | ||
MQ1N8177 | 30.4050 | ![]() | 5541 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | a,轴向 | 齐纳 | 1N8177 | - | a,轴向 | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 100V | 114V | 168V | 890mA | 150W | 不 | ||
MQ1N8179US | 30.6450 | ![]() | 2911 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF,a | 齐纳 | 1N8179 | - | D-5A | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 120V | 138V | 208V | 720mA | 150W | 不 | ||
MQ1N8180 | 30.4050 | ![]() | 7890 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | a,轴向 | 齐纳 | 1N8180 | - | a,轴向 | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 130V | 152V | 225V | 670mA | 150W | 不 | ||
MQ1N8180US | 30.6450 | ![]() | 3323 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF,a | 齐纳 | 1N8180 | - | D-5A | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 130V | 152V | 225V | 670mA | 150W | 不 | ||
MQ1N8182 | 30.4050 | ![]() | 1242 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | a,轴向 | 齐纳 | 1N8182 | - | a,轴向 | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 170V | 190V | 294V | 510mA | 150W | 不 | ||
MV1N8148US | 36.2250 | ![]() | 1609年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF,a | 齐纳 | 1N8148 | - | a,平方米 | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | - | - | - | - | 150W | 不 | ||
MV1N8150 | 35.9550 | ![]() | 1535年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | a,轴向 | 齐纳 | 1N8150 | - | a,轴向 | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 7.5V | 8.65V | 13.5V | 11.1a | 150W | 不 | ||
MV1N8152 | 35.9550 | ![]() | 2420 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | a,轴向 | 齐纳 | 1N8152 | - | a,轴向 | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 9V | 10.4V | 15.6V | 9.62a | 150W | 不 | ||
mv1n8152us | 36.2250 | ![]() | 8738 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF,a | 齐纳 | 1N8152 | - | D-5A | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 9V | 10.4V | 15.6V | 9.62a | 150W | 不 | ||
MV1N8153 | 35.9550 | ![]() | 2474 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | a,轴向 | 齐纳 | 1N8153 | - | a,轴向 | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 10V | 11.4V | 16.9V | 8.88a | 150W | 不 | ||
MV1N8154 | 35.9550 | ![]() | 4215 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | a,轴向 | 齐纳 | 1N8154 | - | a,轴向 | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 11V | 12.4V | 18.2v | 8.24a | 150W | 不 | ||
MV1N8155 | 31.1600 | ![]() | 5337 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | a,轴向 | 齐纳 | 1N8155 | - | a,轴向 | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 12V | 13.8V | 20.2V | 7.42a | 150W | 不 | ||
MV1N8156 | 35.9550 | ![]() | 1792年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | a,轴向 | 齐纳 | 1N8156 | - | a,轴向 | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 13V | 15.2V | 22.3V | 6.73a | 150W | 不 | ||
MV1N8156US | 36.2250 | ![]() | 9646 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF,a | 齐纳 | 1N8156 | - | D-5A | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 13V | 15.2V | 22.3V | 6.73a | 150W | 不 | ||
MV1N8157 | 35.9550 | ![]() | 2102 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | a,轴向 | 齐纳 | 1N8157 | - | a,轴向 | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 15V | 17.1V | 25.1V | 5.98a | 150W | 不 | ||
MV1N8161US | 36.2250 | ![]() | 3804 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF,a | 齐纳 | 1N8161 | - | D-5A | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 22V | 25.7V | 37.4V | 4.01a | 150W | 不 | ||
MV1N8162 | 35.9550 | ![]() | 4464 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | a,轴向 | 齐纳 | 1N8162 | - | a,轴向 | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 25V | 28.5V | 41.6V | 3.6a | 150W | 不 | ||
mv1n8162us | 31.3902 | ![]() | 3540 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF,a | 齐纳 | 1N8162 | - | D-5A | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 25V | 28.5V | 41.6V | 3.6a | 150W | 不 | ||
MV1N8164US | 36.2250 | ![]() | 9672 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF,a | 齐纳 | 1N8164 | - | D-5A | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 30V | 34.2V | 49.9V | 3.01a | 150W | 不 |
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