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（电视））（21773）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 申请 | 安装类型 | 包装 /案例 | 类型 | 基本产品编号 | 电容 @频率 | 供应商设备包 | 数据表 | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 单向通道 | 电压 -反向对峙（典型） | 电压 -故障（最小） | 电压 -夹紧（最大） @ ipp | 电流 -10/1000µs） | 功率 -峰值脉冲 | 电力线保护 | 双向通道 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | mll1.4kesd15c/tr | 3.2550 |  | 4843 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 1.4kesd | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C〜175°C | 通用目的 | 表面安装 | do-213aa | 齐纳 | - | do-213aa | - | 到达不受影响 | 150-mll1.4kesd15c/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 15V | 16.7V | 33.4V | 11.98a | 1400W（1.4kW） | 不 | 1 | |||
 | JANTX1N5638A/TR | 58.9650 | | 5674 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/500 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C〜175°C | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | 1N5638 | - | DO-13（do-202AA） | - | 到达不受影响 | 150-JANTX1N5638A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1 | 13.6V | 15.2V | 22.5V | 67a | 1500W（1.5kW） | 不 | ||
 | SMLJ11AE3/TR13 | 1.5750 | | 1691年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C〜150°C（TA） | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB，SMC | 齐纳 | SMLJ11 | - | SMLJ（do-214ab） | - | 到达不受影响 | 150-SMLJ11AE3/TR13TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 1 | 11V | 12.2v | 18.2v | 164.8a | 3000W（3KW） | 不 | ||
| JANTX1N5644A/TR | 58.9650 | | 5935 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/500 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C〜175°C | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | 1N5644 | - | DO-13（do-202AA） | - | 到达不受影响 | 150-JANTX1N5644A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1 | 25.6V | 28.5V | 41.4V | 36a | 1500W（1.5kW） | 不 | ||
 | MLCE10A/TR | 3.6150 | | 5491 | 0.00000000 | 微芯片技术 | LCE | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-201aa，do-27，轴向 | 齐纳 | 100pf @ 1MHz | 案例1 | - | 到达不受影响 | 150-mlce10a/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1 | 10V | 11.1V | 17V | 88a | 1500W（1.5kW） | 不 | |||
 | mplad18kp15cae3/tr | 40.0800 | | 5730 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 汽车 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | PLAD18 | - | plad | - | 到达不受影响 | 150-MPLAD18KP15CAE3/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 15V | 16.7V | 24.4V | 738a | 18000W（18kw） | 不 | 1 | ||
| mplad36kp260ae3/tr | 38.3850 | | 2073 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 汽车 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad36 | - | plad | 下载 | 到达不受影响 | 150-MPLAD36KP260AE3/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1 | 260V | 289V | 419V | 86a | 36000W（36kW） | 不 | ||
| JANTX1N6050A/TR | 85.5600 | | 3000 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/507 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | 1N6050 | - | DO-13（do-202AA） | - | 到达不受影响 | 150-JANTX1N6050A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 25V | 28.5V | 41.4V | 36a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | ||
 | M15KP150A/TR | 26.6250 | | 1029 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-204ar，轴向 | 齐纳 | M15kp | - | do-204ar | - | 到达不受影响 | 150-M15KP150A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1 | 150V | 167V | 243V | 62a | 15000W（15kW） | 不 | ||
| MRT100KP40CA/TR | 29.2950 | | 7297 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-204ar，轴向 | 齐纳 | MRT100KP | - | do-204ar | - | 到达不受影响 | 150-MRT100KP40CA/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 40V | 44.4V | 78.6V | 1273a（1.273KA） | 100000W（100kW） | 不 | 1 | ||
| JANTX1N5662A/TR | 85.3350 | | 1524年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/500 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C〜175°C | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | 1N5662 | - | DO-13（do-202AA） | - | 到达不受影响 | 150-JANTX1N5662A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1 | 136V | 152V | 219V | 6.8a | 1500W（1.5kW） | 不 | ||
| M5KP12A/TR | 7.0200 | | 4524 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 5kp | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | P600，轴向 | 齐纳 | - | P600 | - | 到达不受影响 | 150-m5kp12a/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1 | 12V | 13.3V | 19.9V | 251a | 5000W（5kW） | 不 | |||
| MXPLAD15KP200CA/TR | 92.2650 | | 9352 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad15 | - | plad | - | 到达不受影响 | 150-MXPLAD15KP200CA/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 200V | 222V | 322V | 47a | 15000W（15kW） | 不 | 1 | ||
 | mv1n8159us/tr | 36.3900 | | 1270 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF，a | 齐纳 | - | a，平方米 | - | 到达不受影响 | 150-MV1N8159US/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1 | 18V | 20.9V | 30.5V | 4.92a | 150W | 不 | |||
| mplad36kp150cae3/tr | 47.7150 | | 3794 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 汽车 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad36 | - | plad | 下载 | 到达不受影响 | 150-MPLAD36KP150CAE3/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 150V | 167V | 243V | 149a | 36000W（36kW） | 不 | 1 | ||
| mplad18kp40ae3/tr | 32.9850 | | 9461 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 汽车 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | PLAD18 | - | plad | - | 到达不受影响 | 150-MPLAD18KP40AE3/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1 | 40V | 44.4V | 64.5V | 280a | 18000W（18kw） | 不 | ||
| mplad36kp14ae3/tr | 38.3850 | | 6270 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 汽车 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad36 | - | plad | 下载 | 到达不受影响 | 150-MPLAD36KP14AE3/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1 | 14V | 15.6V | 24V | 1500a（1.5KA） | 36000W（36kW） | 不 | ||
| JANTX1N5661A/TR | 85.3350 | | 4608 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/500 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C〜175°C | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | 1N5661 | - | DO-13（do-202AA） | - | 到达不受影响 | 150-JANTX1N5661A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1 | 128V | 143V | 207V | 7.2a | 1500W（1.5kW） | 不 | ||
| maplad18kp78cae3/tr | 52.1550 | | 9878 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 汽车 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | PLAD18 | - | plad | - | 到达不受影响 | 150-MAPLAD18KP78CAE3/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 78V | 86.7V | 126V | 143a | 18000W（18kw） | 不 | 1 | ||
| M15KP78CAE3/tr | 26.6250 | | 3301 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-204ar，轴向 | 齐纳 | M15kp | - | do-204ar | - | 到达不受影响 | 150-M15KP78CAE3/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 78V | 86.7V | 126V | 119a | 15000W（15kW） | 不 | 1 | ||
 | MP6KE7.5AE3/tr | 2.6250 | | 8727 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | T-18，轴向 | 齐纳 | MP6KE7.5 | - | T-18 | - | 到达不受影响 | 150-MP6KE7.5AE3/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1 | 6.4V | 7.13V | 11.3V | 53a | 600W | 不 | ||
| MP6KE16CA/TR | 2.8350 | | 3066 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | T-18，轴向 | 齐纳 | MP6KE16 | - | T-18 | - | 到达不受影响 | 150-MP6KE16CA/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 13.6V | 15.2V | 22.5V | 27a | 600W | 不 | 1 | ||
| Jan1n5661a/tr | 65.2050 | | 2749 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/500 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C〜175°C | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | 1N5661 | - | DO-13（do-202AA） | - | 到达不受影响 | 150-JAN1N5661A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1 | 128V | 143V | 207V | 7.2a | 1500W（1.5kW） | 不 | ||
| M1.5Ke82a/tr | 3.6450 | | 3001 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-201aa，do-27，轴向 | 齐纳 | 1.5KE82 | - | 案例1 | - | 到达不受影响 | 150-m1.5ke82a/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1 | 70.1V | 77.9V | 113V | 13.3a | 1500W（1.5kW） | 不 | ||
| MP6KE12CA/TR | 2.8350 | | 3185 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | T-18，轴向 | 齐纳 | MP6KE12 | - | T-18 | - | 到达不受影响 | 150-MP6KE12CA/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 10.2V | 11.4V | 16.7V | 36a | 600W | 不 | 1 | ||
| MSMBG5356B | 3.9600 | | 5841 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-215AA，SMB海鸥翼 | 齐纳 | - | SMBG（DO-215AA） | - | 到达不受影响 | 150 MSMBG5356B | 1 | 1 | - | - | - | - | 600W | 不 | |||||
| MSMBJ5372BE3 | 3.9600 | | 9505 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AA，SMB | 齐纳 | - | SMBJ（DO-214AA） | - | 到达不受影响 | 150-mSMBJ5372BE3 | 1 | 1 | - | - | - | - | 600W | 不 | |||||
| MSMBG5340CE3 | 3.9600 | | 2426 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-215AA，SMB海鸥翼 | 齐纳 | - | SMBG（DO-215AA） | - | 到达不受影响 | 150 MSMBG5340CE3 | 1 | - | - | - | - | 600W | 不 | 1 | |||||
| MXPLAD30KP280A/TR | 83.2950 | | 3311 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad30 | - | plad | - | 到达不受影响 | 150-MXPLAD30KP280A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1 | 280V | 311V | 451V | 66a | 30000W（30kW） | 不 | ||
| MSMBJ5359BE3/tr | 3.9600 | | 5230 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AA，SMB | 齐纳 | - | SMBJ（DO-214AA） | - | 到达不受影响 | 150-MSMBJ5359BE3/tr | 300 | 1 | - | - | - | - | 600W | 不 |
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