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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 申请 | 安装类型 | 包装 /案例 | 类型 | 基本产品编号 | 电容 @频率 | 供应商设备包 | Rohs状态 | 达到状态 | ECCN | htsus | 标准包 | 电压 -反向对峙(典型) | 电压 -故障(最小) | 电压 -夹紧(最大) @ ipp | 电流 -10/1000µs) | 功率 -峰值脉冲 | 电力线保护 | 双向通道 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | JANS1N6171A | 149.2650 | ![]() | 4123 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/516 | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | C,轴向 | 齐纳 | - | C,轴向 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 121.6V | 152V | 218.4V | 6.9a | 1500W(1.5kW) | 不 | 1 | ||
JANS1N6171AUS | 153.9010 | ![]() | 1180 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/516 | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF,c | 齐纳 | - | C,SQ-MELF | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 121.6V | 152V | 218.4V | 6.9a | 1500W(1.5kW) | 不 | 1 | |||
![]() | JANS1N6104 | 97.1400 | ![]() | 4003 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/516 | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | B,轴向 | 齐纳 | - | B,轴向 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 6.2V | 7.79V | 12.1V | 41.3a | 500W | 不 | 1 | ||
![]() | JANS1N6104A | 87.2550 | ![]() | 8459 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/516 | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | B,轴向 | 齐纳 | - | B,轴向 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 6.2V | 7.79V | 12.1V | 41.3a | 500W | 不 | 1 | ||
![]() | JANS1N6109 | 77.3100 | ![]() | 2929 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/516 | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | B,轴向 | 齐纳 | - | B,轴向 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 9.9V | 11.73V | 19.11V | 26.13a | 500W | 不 | 1 | ||
![]() | JANS1N6110 | 77.3100 | ![]() | 4176 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/516 | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | B,轴向 | 齐纳 | - | B,轴向 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 11.4V | 13.54V | 22.05V | 22.61a | 500W | 不 | 1 | ||
![]() | JANS1N6112 | 72.1602 | ![]() | 7850 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/516 | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | B,轴向 | 齐纳 | - | B,轴向 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 13.7V | 16.25V | 26.36V | 18.91a | 500W | 不 | 1 | ||
JANS1N6113US | 84.9002 | ![]() | 2230 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/516 | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF,b | 齐纳 | - | B,平方米 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 15.2V | 18.05V | 29.09V | 17.1a | 500W | 不 | 1 | |||
![]() | JANS1N6115A | 77.3100 | ![]() | 8964 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/516 | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | B,轴向 | 齐纳 | 1N6115 | - | B,轴向 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 18.2v | 22.8V | 33.3V | 15a | 500W | 不 | 1 | |
JANS1N6117AUS | 97.1700 | ![]() | 2156 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/516 | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF,b | 齐纳 | - | B,平方米 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 22.8V | 28.5V | 41.6V | 12a | 500W | 不 | 1 | |||
JANS1N6118AUS | 97.1700 | ![]() | 2320 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/516 | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF,b | 齐纳 | - | B,平方米 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 25.1V | 31.4V | 45.7V | 10.9a | 500W | 不 | 1 | |||
JANS1N6120 | 77.3100 | ![]() | 9451 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/516 | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF,b | 齐纳 | - | B,平方米 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 29.7V | 37.1V | 53.6V | 9.3a | 500W | 不 | 1 | |||
JANS1N6120A | 77.3100 | ![]() | 4822 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/516 | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF,b | 齐纳 | - | B,平方米 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 29.7V | 37.1V | 53.6V | 9.3a | 500W | 不 | 1 | |||
JANS1N6122 | 77.3100 | ![]() | 5007 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/516 | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF,b | 齐纳 | - | B,平方米 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 35.8V | 44.7V | 64.6V | 7.7a | 500W | 不 | 1 | |||
JANS1N6123 | 77.3100 | ![]() | 2281 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/516 | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF,b | 齐纳 | - | B,平方米 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 38.8V | 48.5V | 70.1V | 7.1a | 500W | 不 | 1 | |||
JANS1N6123US | 97.1700 | ![]() | 5695 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/516 | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF,b | 齐纳 | - | B,平方米 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 38.8V | 48.5V | 70.1V | 7.1a | 500W | 不 | 1 | |||
JANS1N6124 | 77.3100 | ![]() | 2439 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/516 | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF,b | 齐纳 | - | B,平方米 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 42.6V | 53.2V | 77V | 6.5a | 500W | 不 | 1 | |||
JANS1N6128AUS | 97.1700 | ![]() | 4350 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/516 | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF,b | 齐纳 | - | B,平方米 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 62.2V | 77.9V | 112.8V | 4.4a | 500W | 不 | 1 | |||
JANS1N6129A | 77.3100 | ![]() | 9353 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/516 | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF,b | 齐纳 | - | B,平方米 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 69.2V | 86.5V | 125.1V | 4a | 500W | 不 | 1 | |||
JANS1N6131 | 77.3100 | ![]() | 8108 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/516 | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF,b | 齐纳 | 1N6131 | - | B,平方米 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 86.6V | 104.5V | 151.3V | 3.3a | 500W | 不 | 1 | ||
JANS1N6132 | 72.1602 | ![]() | 1644年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/516 | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF,b | 齐纳 | - | B,平方米 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 91.2V | 114V | 165.1V | 3a | 500W | 不 | 1 | |||
JANS1N6132AUS | 97.1700 | ![]() | 4857 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/516 | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF,b | 齐纳 | - | B,平方米 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 91.2V | 114V | 165.1V | 3a | 500W | 不 | 1 | |||
JANS1N6134A | 77.3100 | ![]() | 1349 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/516 | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF,b | 齐纳 | - | B,平方米 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 114V | 142.5V | 206.3V | 2.4a | 500W | 不 | 1 | |||
JANS1N6137AUS | 98.6850 | ![]() | 1498年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/516 | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF,b | 齐纳 | - | B,平方米 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 152V | 190V | 273V | 1.8a | 500W | 不 | 1 | |||
JANS1N6141AUS | 149.1900 | ![]() | 8531 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/516 | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF,c | 齐纳 | - | C,SQ-MELF | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 6.9V | 8.65V | 13.4V | 111.9a | 1500W(1.5kW) | 不 | 1 | |||
JANS1N6143AUS | 150.6150 | ![]() | 4045 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/516 | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF,c | 齐纳 | - | C,SQ-MELF | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 8.4V | 10.45V | 15.6V | 96.2a | 1500W(1.5kW) | 不 | 1 | |||
![]() | JANS1N6145 | 115.2300 | ![]() | 1759年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/516 | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | C,轴向 | 齐纳 | - | C,轴向 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 9.9V | 12.35V | 18.2v | 82.4a | 1500W(1.5kW) | 不 | 1 | ||
JANS1N6145AUS | 149.1900 | ![]() | 5058 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/516 | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF,c | 齐纳 | - | C,SQ-MELF | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 9.9V | 12.35V | 18.2v | 82.4a | 1500W(1.5kW) | 不 | 1 | |||
JANS1N6146AUS | 139.2400 | ![]() | 1973 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/516 | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF,c | 齐纳 | - | C,SQ-MELF | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 11.4V | 14.25V | 21V | 71.4a | 1500W(1.5kW) | 不 | 1 | |||
JANS1N6147AUS | 140.5710 | ![]() | 6295 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/516 | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF,c | 齐纳 | - | C,SQ-MELF | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 12.2v | 15.2V | 22.3V | 67.3a | 1500W(1.5kW) | 不 | 1 |
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