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存储卡，模块（，2975）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	尺寸 /尺寸	包装 /案例	类型	基本产品编号	重量	电压 -电源	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	内存类型	内存大小	形状	速度 -阅读	速度 -写	电流 -最大	转移率（MB/S，MT/S，MHz）
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MTFDDAV480TDS-1AW15TAYY TR	-	RFQ	9402	微米技术公司	5300	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C	80.00mm x 22.00mm x 3.80mm		萨塔三世		-	3.3V	-			到达不受影响	557-MTFDDAV480TDS-1AW15TAYYTR	过时的		1	（SSD）闪存-NAND（tlc）	480GB	M.2模块	540MB/s	410MB/s	-
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MT18VDDF12872HG-40BD1	-	RFQ	8818	微米技术公司	-		过时的			200-sodimm					下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	557-1116	Ear99	8473.30.1140	1	DDR SDRAM	1GB					200
MT18JSF51272AZ-1G4K1	-	RFQ	9660	微米技术公司	-	托盘	过时的			240-udimm					下载	rohs3符合条件	3（168））			Ear99	8542.32.0036	100	DDR3 SDRAM	4GB					1333
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MT18HTF12872PY-53ED2	-	RFQ	5844	微米技术公司	-	托盘	过时的			240-RDIMM					下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8473.30.1140	100	DDR2 SDRAM	1GB					533
mtfddak1t9tdt-1aw1zabhb	-	RFQ	5714	微米技术公司	5300	托盘	过时的	0°C〜70°C	100.45mm x 69.85mm x 7.00mm		萨塔三世		-	5V，12V	-			到达不受影响	557-MTFDDAK1T9TDT-1AW1ZABHB	过时的		1	（SSD）闪存-NAND（tlc）	1.92TB	2.5”	540MB/s	520MB/s	-
MT9VDDT6472AY-40BD1	-	RFQ	3030	微米技术公司	-	盒子	过时的			184-udimm					-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8473.30.1140	100	DDR SDRAM	512MB					400
MT18HVF12872Y-40ED1	159.9571	RFQ	8455	微米技术公司	-	托盘	在sic中停产			240-RDIMM					下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8473.30.1140	100	DDR2 SDRAM	1GB					400
MT18KSF51272PZ-1G6K1	-	RFQ	3259	微米技术公司	-	托盘	过时的			240-RDIMM					下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	100	DDR3L SDRAM	4GB					1600

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

存储卡，模块（，2975）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²