SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 尺寸 /尺寸 包装 /案例 类型 基本产品编号 重量 电压 -电源 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 内存类型 内存大小 形状 速度 -阅读 速度 -写 电流 -最大 转移率(MB/S,MT/S,MHz)
MT18VDDT6472AG-26AG4 Micron Technology Inc. MT18VDDT6472AG-26AG4 -
RFQ
ECAD 1786年 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 过时的 184-udimm 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR SDRAM 512MB 266
MTEDFBR004SCA-1P2IT Micron Technology Inc. MTEDFBR004SCA-1P2IT -
RFQ
ECAD 2726 0.00000000 微米技术公司 EU500 托盘 过时的 模块 MEDFBR004 - rohs3符合条件 4 (72小时) 到达不受影响 Ear99 8523.51.0000 150 Flash -nand(slc) 4GB -
MTA16ATF2G64HZ-2G3H1 Micron Technology Inc. MTA16ATF2G64Hz-2G3H1 -
RFQ
ECAD 8615 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 260-Sodimm 下载 rohs3符合条件 3(168)) 过时的 0000.00.0000 1 DDR4 SDRAM 16 GB 2400
MT36HTS51272FY-53EA2E3 Micron Technology Inc. MT36HTS51272FY-53EA2E3 2.0000
RFQ
ECAD 3092 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 在sic中停产 240-FBDIMM 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 4GB 533
MT9KDF25672AZ-1G4K1 Micron Technology Inc. MT9KDF25672AZ-1G4K1 -
RFQ
ECAD 9828 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 240-udimm - rohs3符合条件 3(168)) Ear99 8473.30.1140 100 DDR3L SDRAM 2GB 1333
MT9HVF6472PKZ-667H1 Micron Technology Inc. MT9HVF6472PKZ-667H1 -
RFQ
ECAD 2553 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 积极的 244毫米 MT9HVF6472 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 100 DDR2 SDRAM 512MB 667
MTA9ASF1G72PKIZ-3G2E1 Micron Technology Inc. MTA9ASF1G72PKIZ-3G2E1 -
RFQ
ECAD 7963 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 288分时 MTA9ASF1 - rohs3符合条件 3(168)) Ear99 8473.30.1140 100 DDR4 SDRAM 8GB 3200
MT18HTF12872Y-53EB3 Micron Technology Inc. MT18HTF12872Y-53EB3 -
RFQ
ECAD 6666 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 过时的 240-RDIMM 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 1GB 533
MTA9ASF1G72PZ-2G9E6 Micron Technology Inc. MTA9ASF1G72PZ-2G9E6 101.7450
RFQ
ECAD 9432 0.00000000 微米技术公司 DDR4 SDRAM 托盘 积极的 288-RDIMM MTA9ASF1 - (1 (无限) 到达不受影响 557-MTA9ASF1G72PZ-2G9E6 Ear99 8473.30.1140 100 DDR4 SDRAM 8GB 2933
MTEDCAR002SAJ-1M2 Micron Technology Inc. MTEDCAR002SAJ-1M2 30.2100
RFQ
ECAD 50 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 模块 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 150 Flash -nand(slc) 2GB -
MTFDDAK3T8TDT-1AW1ZHCYY TR Micron Technology Inc. mtfddak3t8tdtdtdttttdtt-1 Zhcyy tr -
RFQ
ECAD 8086 0.00000000 微米技术公司 5300 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C 100.45mm x 69.85mm x 7.00mm 萨塔三世 - 5V,12V - 到达不受影响 557-MTFDDAK3T8TDTDT-1W1ZHCYYTR 过时的 1 (SSD)闪存-NAND(tlc) 3.84TB 2.5” 540MB/s 520MB/s -
MTA18ASF4G72PDZ-2G9B1 Micron Technology Inc. MTA18ASF4G72PDZ-2G9B1 264.1500
RFQ
ECAD 4780 0.00000000 微米技术公司 DDR4 SDRAM 大部分 积极的 288-RDIMM MTA18 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 557-MTA18ASF4G72PDZ-2G9B1 Ear99 8473.30.1140 100 DDR4 SDRAM 32GB 2933
MT9KSF12872AZ-1G6G1 Micron Technology Inc. MT9KSF12872AZ-1G6G1 -
RFQ
ECAD 1037 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 - - rohs3符合条件 3(168)) Ear99 8473.30.1140 100 DDR3 SDRAM 1GB 1600
MTFDHAX3T2MCE-1AN1ZABYY Micron Technology Inc. MTFDHAX3T2MCE-1AN1ZABYY -
RFQ
ECAD 5662 0.00000000 微米技术公司 9100 大部分 过时的 0°C〜85°C 167.65mm x 18.74mm x 68.89mm NVME - 12V 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 3A991B1A 8471.70.6000 10 (SSD)闪光灯-NAND (MLC) 3.2TB hhl 3.0GB/s 2.0GB/s -
MTA18ASF2G72PDZ-2G3B1 Micron Technology Inc. MTA18ASF2G72PDZ-2G3B1 -
RFQ
ECAD 8253 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 288-RDIMM 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 1 DDR4 SDRAM 16 GB 2400
MT18KSF51272PDZ-1G4D1 Micron Technology Inc. MT18KSF51272PDZ-1G4D1 -
RFQ
ECAD 2996 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 过时的 240-RDIMM 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 100 DDR3 SDRAM 4GB 1333
MTFDDAV1T0TBN-1AR12TAYY Micron Technology Inc. mtfddav1t0tbn-1ar12tayy -
RFQ
ECAD 4385 0.00000000 微米技术公司 1100 大部分 过时的 0°C〜70°C 80.00mm x 22.00mm x 2.30mm 萨塔三世 0.353(10 g) 3.3V 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 3A991B1A 8471.70.6000 100 (SSD)闪存-NAND(tlc) 1TB M.2模块 530MB/s 500MB/s -
MT4LSDT1664AG-13ED1 Micron Technology Inc. MT4LSDT1664AG-13ED1 -
RFQ
ECAD 3044 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 过时的 168-udimm MT4LSDT 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 Sdram 128MB 133
MT16HTF6464AY-40EB2 Micron Technology Inc. MT16HTF6464AY-40EB2 -
RFQ
ECAD 9979 0.00000000 微米技术公司 - 盒子 过时的 240-udimm 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 2GB 400
MTA18ASF1G72PZ-2G1B1 Micron Technology Inc. MTA18ASF1G72PZ-2G1B1 -
RFQ
ECAD 7835 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 288-RDIMM - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 100 DDR4 SDRAM 8GB 2133
MT16KTF1G64AZ-1G6E1 Micron Technology Inc. MT16KTF1G64AZ-1G6E1 -
RFQ
ECAD 2425 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 240-udimm 下载 rohs3符合条件 3(168)) Ear99 8473.30.1140 100 DDR3L SDRAM 8GB 1600
MT18HTF25672FDY-80EE1D4 Micron Technology Inc. MT18HTF25672FDY-80EE1D4 -
RFQ
ECAD 5726 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 240-FBDIMM 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 2GB 800
MTFDDAV512TDL-1AW1ZABYY Micron Technology Inc. MTFDDAV512TDL-1AW1ZABYY 157.5000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 微米技术公司 1300 大部分 过时的 - - 萨塔三世 - - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8471.70.6000 10 (SSD)闪存-NAND(tlc) 512GB M.2模块 530MB/s 520MB/s -
MTFDHBE1T9TDF-1AW12ABYY Micron Technology Inc. mtfdhbe1t9tdddf-1aw12aby -
RFQ
ECAD 9809 0.00000000 微米技术公司 7300 大部分 过时的 0°C〜70°C - NVME - - 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 557-MTFDHBE1T9TDF-1AW12ABYY 过时的 1 (SSD)闪存-NAND(tlc) 1.92TB U.2模块 3GB/s 1.55GB/s -
MTA18ASF1G72HZ-2G4A1 Micron Technology Inc. MTA18ASF1G72HZ-2G4A1 -
RFQ
ECAD 5916 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 260-Sodimm - rohs3符合条件 3(168)) Ear99 8542.32.0036 100 DDR4 SDRAM 8GB 2400
MTFDKBZ1T9TDZ-1AZ15ABYY Micron Technology Inc. mtfdkbz1t9tdz-1az15aby -
RFQ
ECAD 6038 0.00000000 微米技术公司 7400 盒子 过时的 0°C〜70°C - NVME - - - (1 (无限) 557-MTFDKBZ1T9TDDDDDDDDZ15ABYY 过时的 1 (SSD)闪存-NAND(tlc) 1.92TB - 6.5GB/s 2.2GB/s -
MTFDHBE960TDF-1AW12ABYY Micron Technology Inc. mtfdhbe960tdf-1aw12abyy -
RFQ
ECAD 9538 0.00000000 微米技术公司 7300 大部分 过时的 0°C〜70°C - NVME - - 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 557-MTFDHBE960TDF-1AW12ABYY 过时的 1 (SSD)闪存-NAND(tlc) 960GB U.2模块 2.4GB/s 850MB/s -
MTA001C00BA-001 Micron Technology Inc. MTA001C00BA-001 -
RFQ
ECAD 8038 0.00000000 微米技术公司 - 托盘 过时的 - 557-MTA001C00BA-001 过时的 1 nvram - -
MT8HTF12864HY-800E1 Micron Technology Inc. MT8HTF12864HY-800E1 -
RFQ
ECAD 6197 0.00000000 微米技术公司 - 大部分 过时的 200-sodimm 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8473.30.1140 100 DDR2 SDRAM 1GB 800
MTFDDAK512TDL-1AW12ABYY Micron Technology Inc. MTFDDAK512TDL-1AW12ABY -
RFQ
ECAD 4748 0.00000000 微米技术公司 1300 大部分 过时的 - - 萨塔三世 - - rohs3符合条件 3(168)) 3A991B1A 8471.70.6000 10 (SSD)闪存-NAND(tlc) 512GB 2.5” 530MB/s 520MB/s -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库