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6716）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	（CIES） @ vce	电阻-RDS（（在）	电阻 @ if，f
3EZ82D2E3/TR8	-	RFQ	7831	Microsemi Corporation	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	3EZ82			3 W		DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1,500														1.2 V @ 200 ma	500 NA @ 62.2 V																		82 v	95欧姆
JANTX2N4857	-	RFQ	1811	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3				360兆w		TO-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	1		n通道		40 V							18pf @ 10V（vgs）																	40 V	100 ma @ 15 V	6 V @ 500 PA						40欧姆
SMBJ5336A/TR13	-	RFQ	8634	Microsemi Corporation	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±10％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5336			5 w		SMBJ（DO-214AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000														1.2 V @ 1 A	10 µA @ 1 V																		4.3 v	2欧姆
APTGL90SK120T1G	-	RFQ	6207	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SP1				385 w	标准	SP1	-		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	单身的																	沟渠场停止	1200 v	110 a		2.25V @ 15V，75a									250 µA	是的			4.4 NF @ 25 V
JANTX1N4955CUS	20.4300	RFQ	4645	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，E	1N4955			5 w		D-5B	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1														1.5 V @ 1 A	100 µA @ 5.7 V																		7.5 v	1.5欧姆
1EZ190D5/TR12	-	RFQ	7973	Microsemi Corporation	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1EZ190			1 w		DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	4,000														1.2 V @ 200 ma	500 NA @ 144.8 V																		190 v	1700欧姆
1N5382B/TR12	-	RFQ	8298	Microsemi Corporation	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5382			5 w		T-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000														1.2 V @ 1 A	500 NA @ 101 V																		140 v	230欧姆
SMBJ4730C/TR13	-	RFQ	5082	Microsemi Corporation	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ4730			2 w		SMBJ（DO-214AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000														1.2 V @ 200 ma	50 µA @ 1 V																		3.9 v	9欧姆
2EZ200D/TR12	-	RFQ	9074	Microsemi Corporation	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±20％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	2ez200			2 w		DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	4,000														1.2 V @ 200 ma	500 NA @ 152 V																		200 v	900欧姆
APT75GN120J	-	RFQ	8164	Microsemi Corporation	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	同位素				379 w	标准	isotop®	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	30	单身的																	沟渠场停止	1200 v	124 a		2.1V @ 15V，75a									100 µA	不			4.8 nf @ 25 V
1 PMT4623/TR13	-	RFQ	6322	Microsemi Corporation	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa				1 w		do-216	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	12,000														1.1 V @ 200 ma	4 µA @ 2 V																		4.3 v	1650年
MSD100-12	-	RFQ	8595	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	M3			标准			M3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1														1.9 V @ 300 A	300 µA @ 1200 V	100 a										三期	1.2 kV
1N5955CPE3/TR8	-	RFQ	3699	Microsemi Corporation	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±2％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5955			1.5 w		DO-204AL（DO-41）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1,500														1.2 V @ 200 ma	1 µA @ 136.8 V																		180 v	900欧姆
SMBG5952AE3/TR13	-	RFQ	5939	Microsemi Corporation	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±10％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-215AA，SMB海鸥翼	SMBG5952			2 w		SMBG（DO-215AA）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000														1.2 V @ 200 ma	1 µA @ 98.8 V																		130 v	450欧姆
SMBG5334BE3/TR13	-	RFQ	3731	Microsemi Corporation	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-215AA，SMB海鸥翼	SMBG5334			5 w		SMBG（DO-215AA）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000														1.2 V @ 1 A	150 µA @ 1 V																		3.6 v	2.5欧姆
1N5937AG	3.4050	RFQ	3570	Microsemi Corporation	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5937			1.25 w		DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1														1.2 V @ 200 ma	1 µA @ 25.1 V																		33 V	33欧姆
1N5275B（DO-35）	-	RFQ	9431	Microsemi Corporation	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5275			500兆		do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1														1.5 V @ 200 ma	100 NA @ 106 V																		140 v	1300欧姆
APTGV75H60T3G	-	RFQ	9183	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		-	底盘安装	SP3				250 w	标准	SP3	-		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1	完整的桥梁逆变器																	NPT，沟渠场停止	600 v	100 a		1.9V @ 15V，75a									250 µA	是的			4.62 NF @ 25 V
UPP1001/TR13	8.8650	RFQ	2332	Microsemi Corporation	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		do-216aa	UPP1001					do-216	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	12,000													2.5 w				1.6pf @ 100V，1MHz									PIN-单	100V										1 OHM @ 10mA，100MHz
APTGLQ25H120T2G	-	RFQ	9380	Microsemi Corporation	-	大部分	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	APTGLQ25			165 w	标准	SP2	-	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	全桥																	沟渠场停止	1200 v	50 a		2.42V @ 15V，25a									50 µA	是的			1.43 NF @ 25 V
APT11GF120BRDQ1G	-	RFQ	4997	Microsemi Corporation	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	apt11g	标准		156 w		TO-247 [B]	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	30			800V，8a，10ohm，15V															npt	1200 v	25 a	24 a	3V @ 15V，8a	300µJ（在）上，285µJ（OFF）	65 NC	7NS/100NS
2EZ3.6D10/TR8	-	RFQ	5593	Microsemi Corporation	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±10％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	2ez3.6			2 w		DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1,500														1.2 V @ 200 ma	80 µA @ 1 V																		3.6 v	5欧姆
APTGV100H60BTPG	-	RFQ	9515	Microsemi Corporation	-	大部分	过时的		-	底盘安装	SP6				340 w	标准	sp6-p	-		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1	提升斩波器，全桥																	NPT，沟渠场停止	600 v	150 a		1.9V @ 15V，100a									250 µA	是的			6.1 NF @ 25 V
APT50GT120B2RDLG	18.4500	RFQ	8	Microsemi Corporation	Thunderboltigbt®	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	APT50GT120	标准		694 w			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	30			800V，50a，4.7Ohm，15V															npt	1200 v	106 a	150 a	3.7V @ 15V，50a	（3585µJ）（1910µj of）	240 NC	23NS/215NS
1 PMT5921/TR7	-	RFQ	6947	Microsemi Corporation	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±20％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点			3 W		do-216aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000														1.2 V @ 200 ma	5 µA @ 5.2 V																		6.8 v	2.5欧姆
1N825（DO35）	-	RFQ	5489	Microsemi Corporation	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N825			500兆		DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1															2 µA @ 3 V																		6.2 v	15欧姆
1N5915BPE3/TR12	-	RFQ	3781	Microsemi Corporation	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5915			1.5 w		DO-204AL（DO-41）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	4,000														1.2 V @ 200 ma	25 µA @ 1 V																		3.9 v	7.5欧姆
APTGT100DA170D1G	-	RFQ	5133	Microsemi Corporation	-	大部分	在sic中停产		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	D1				695 w	标准	D1	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1	单身的																	沟渠场停止	1700 v	200 a		2.4V @ 15V，100a									3 ma	不			8.5 nf @ 25 V
JANTX2N6768	-	RFQ	1623年	Microsemi Corporation	军事，MIL-PRF-19500/543	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-204AE			MOSFET （金属 o化物）			TO-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		400 v	14A（TC）	10V	400mohm @ 14a，10v	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V		-	（4W）（150w（ta）（TC）
2EZ20D10E3/TR12	-	RFQ	9820	Microsemi Corporation	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	2ez20			2 w		DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	4,000														1.2 V @ 200 ma	500 NA @ 15.2 V																		20 v	11欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6716）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²