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晶体管（（3903）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
IXFN30N120P	62.2330	RFQ	2897	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN30		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		n通道		1200 v	30A（TC）	10V	350MOHM @ 500mA，10V	6.5V @ 1mA	310 NC @ 10 V	±30V	19000 PF @ 25 V	-	890W（TC）
IXGH40N60A	-	RFQ	9312	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH40	标准		250 w		TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			480V，40a，22ohm，15V											-	600 v	75 a	150 a	3V @ 15V，40a	3MJ（（）	200 NC	100NS/600NS
IXTY01N100-TRL	1.3085	RFQ	6139	ixys	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IXTY01		MOSFET （金属 o化物）			TO-252AA	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixty01n100-trltr	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		1000 v	100mA（TC）	10V	80ohm @ 50mA，10v	4.5V @ 25µA	6.9 NC @ 10 V	±20V	54 pf @ 25 V	-	25W（TC）
IXTP1N100	2.8555	RFQ	2656	ixys	-	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp1		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		1000 v	1.5A（TC）	10V	11ohm @ 1A，10V	4.5V @ 25µA	14.5 NC @ 10 V	±30V	400 pf @ 25 V	-	54W（TC）
IXFK120N20P	13.4900	RFQ	4550	ixys	Hiperfet™，极性	盒子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK120		MOSFET （金属 o化物）			TO-264AA（IXFK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		200 v	120A（TC）	10V	22mohm @ 500mA，10v	5V @ 4mA	152 NC @ 10 V	±20V	6000 pf @ 25 V	-	714W（TC）
IXTK400N15X4	59.8300	RFQ	8840	ixys	Ultra X4	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	ixtk400		MOSFET （金属 o化物）			TO-264	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-1402-ixtk400N15x4	Ear99	8541.29.0095	25		n通道		150 v	400A（TC）	10V	3.1MOHM @ 100A，10V	4.5V @ 1mA	430 NC @ 10 V	±20V	14500 PF @ 25 V	-	1500W（TC）
IXFV20N80PS	-	RFQ	2705	ixys	Hiperfet™，Polarht™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	加220SMD	IXFV20		MOSFET （金属 o化物）			加220SMD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		800 v	20A（TC）	10V	520MOHM @ 10a，10v	5V @ 4mA	86 NC @ 10 V	±30V	4685 pf @ 25 V	-	500W（TC）
IXFC26N50	-	RFQ	3548	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	ISOPLUS220™	IXFC26N50		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS220™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		500 v	23A（TC）	10V	200mohm @ 13a，10v	4V @ 4mA	135 NC @ 10 V	±20V	4200 PF @ 25 V	-	230W（TC）
IXGK50N60B	-	RFQ	2447	ixys	HiperFast™	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXGK50	标准		300 w		TO-264（ixgk）	下载		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			480V，50a，2.7Ohm，15V											-	600 v	75 a	200 a	2.3V @ 15V，50a	3MJ（（）	160 NC	50NS/150NS
IXFA16N50P-TRL	3.2699	RFQ	9537	ixys	Hiperfet™，极性	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IXFA16		MOSFET （金属 o化物）			TO-263（D2PAK）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixfa16n50p-trltr	Ear99	8541.29.0095	800		n通道		500 v	16A（TC）	10V	400mohm @ 8a，10v	5.5V @ 2.5mA	36 NC @ 10 V	±30V	2480 pf @ 25 V	-	300W（TC）
IXTH44N30T	-	RFQ	9174	ixys	沟	管子	积极的	-	通过洞	TO-247-3	ixth44		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		300 v	44A（TC）		-	-				-	-
IXFR180N15P	16.7170	RFQ	7166	ixys	Hiperfet™，极性	盒子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFR180		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		150 v	100A（TC）	10V	13mohm @ 90a，10v	5V @ 4mA	240 NC @ 10 V	±20V	7000 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IXGH35N120B	-	RFQ	4160	ixys	HiperFast™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH35	标准		300 w		TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			960V，35A，5OHM，15V											pt	1200 v	70 a	140 a	3.3V @ 15V，35a	3.8MJ（（）	170 NC	50NS/180NS
IXTH10N100D	18.3497	RFQ	9649	ixys	消耗	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixth10		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		1000 v	10A（TC）	10V	1.4ohm @ 10a，10v	3.5V @ 250µA	130 NC @ 10 V	±30V	2500 PF @ 25 V	耗尽模式	400W（TC）
IXTH7P50	21.7200	RFQ	21	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixth7		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	IXTH7P50-NDR	Ear99	8541.29.0095	30		P通道		500 v	7A（TC）	10V	1.5OHM @ 500mA，10V	5V @ 250µA	130 NC @ 10 V	±20V	3400 PF @ 25 V	-	180W（TC）
GWM220-004P3-SMD SAM	-	RFQ	6011	ixys	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	17-SMD，鸥翼	GWM220		MOSFET （金属 o化物）	-		ISOPLUS-DIL™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	6 n通道（3相桥）			40V	180a		-	4V @ 1mA	94NC @ 10V		-	-
IXTH30N60P	10.8300	RFQ	2123	ixys	极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixth30		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		600 v	30A（TC）	10V	240mohm @ 15a，10v	5V @ 250µA	82 NC @ 10 V	±30V	5050 pf @ 25 V	-	540W（TC）
ixta16n50p-trl	3.0883	RFQ	4890	ixys	极性	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta16		MOSFET （金属 o化物）			TO-263（D2PAK）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixta16n50p-trltr	Ear99	8541.29.0095	800		n通道		500 v	16A（TC）	10V	400mohm @ 8a，10v	5.5V @ 250µA	43 NC @ 10 V	±30V	2250 pf @ 25 V	-	300W（TC）
IXFK48N50Q	-	RFQ	8518	ixys	Hiperfet™，Q类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK48		MOSFET （金属 o化物）			TO-264AA（IXFK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		500 v	48A（TC）	10V	100mohm @ 24a，10v	4V @ 4mA	190 NC @ 10 V	±20V	7000 PF @ 25 V	-	500W（TC）
IXFH150N20T	19.7900	RFQ	30	ixys	hiperfet™，战沟	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH150		MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		200 v	150a（TC）	10V	15mohm @ 75a，10v	5V @ 4mA	177 NC @ 10 V	±20V	11700 PF @ 25 V	-	890W（TC）
IXFK260N17T	-	RFQ	2367	ixys	Gigamos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK260		MOSFET （金属 o化物）			TO-264AA（IXFK）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		170 v	260a（TC）	10V	6.5MOHM @ 60a，10v	5V @ 8mA	400 NC @ 10 V	±20V	24000 pf @ 25 V	-	1670W（TC）
VDI130-06P1	-	RFQ	4150	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	Eco-PAC2	vdi			379 w	标准	Eco-PAC2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	单身的													npt	600 v	121 a		2.9V @ 15V，130a				1.2 ma	是的	4.2 NF @ 25 V
IXFA18N60X	6.7505	RFQ	6301	ixys	Hiperfet™，Ultra X	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IXFA18		MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA（IXFA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		600 v	18A（TC）	10V	230MOHM @ 9A，10V	4.5V @ 1.5mA	35 NC @ 10 V	±30V	1440 pf @ 25 V	-	320W（TC）
IXTN62N50L	74.2900	RFQ	8096	ixys	线性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	ixtn62		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixtn62n50l	Ear99	8541.29.0095	10		n通道		500 v	62A（TC）	20V	100mohm @ 500mA，20v	5V @ 250µA	550 NC @ 20 V	±30V	11500 PF @ 25 V	-	800W（TC）
IXTT16N10D2	14.7600	RFQ	4473	ixys	消耗	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXTT16		MOSFET （金属 o化物）			TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixtt16n10d2	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		100 v	16A（TC）	0V	64mohm @ 8a，0v	-	225 NC @ 5 V	±20V	5700 PF @ 25 V	耗尽模式	830W（TC）
IXFK27N80	-	RFQ	9090	ixys	Hiperfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK27		MOSFET （金属 o化物）			TO-264AA（IXFK）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	IXFK27N80-NDR	Ear99	8541.29.0095	25		n通道		800 v	27a（TC）	10V	300MOHM @ 13.5A，10V	4.5V @ 8mA	400 NC @ 10 V	±20V	9740 pf @ 25 V	-	500W（TC）
IXFK34N80	23.3261	RFQ	4773	ixys	Hiperfet™	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK34		MOSFET （金属 o化物）			TO-264AA（IXFK）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	IXFK34N80-NDR	Ear99	8541.29.0095	25		n通道		800 v	34A（TC）	10V	240mohm @ 17a，10v	5V @ 8mA	270 NC @ 10 V	±20V	7500 PF @ 25 V	-	560W（TC）
IXFR32N100Q3	44.7700	RFQ	9904	ixys	Hiperfet™，Q3类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFR32		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixfr32N100Q3	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		1000 v	23A（TC）	10V	350MOHM @ 16A，10V	6.5V @ 8mA	195 NC @ 10 V	±30V	9940 pf @ 25 V	-	570W（TC）
IXFE34N100	-	RFQ	3197	ixys	Hiperfet™	盒子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	ixfe34		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		1000 v	30A（TC）	10V	280mohm @ 17a，10v	5.5V @ 8mA	455 NC @ 10 V	±20V	15000 PF @ 25 V	-	580W（TC）
mke38p600lb-trr	34.7130	RFQ	7290	ixys	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	表面安装	9-SMD模块	MKE38P600		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS-SMPD™.b	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	200		n通道		600 v	50A（TC）		-	-				-	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3903）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²