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（506）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
BUK9540-100A，127	0.3300	RFQ	2	NXP半导体	Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-BUK9540-100A，127-954			1		n通道					100 v	39A（TC）	4.5V，10V	39mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA	48 NC @ 5 V	±15V	3072 PF @ 25 V	-	158W（TC）
PHD71NQ03LT，118	-	RFQ	7622	NXP半导体	Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-PHD71NQ03LT，118-954			1		n通道					30 V	75A（TC）	5V，10V	10mohm @ 25a，10v	2.5V @ 1mA	13.2 NC @ 5 V	±20V	1220 pf @ 25 V	-	120W（TC）
PMPB95ENEA/FX	0.1200	RFQ	5	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-udfn暴露垫			MOSFET （金属 o化物）		DFN2020MD-6	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-PMPB95ENEA/FX-954			1		n通道					80 V	4.1a（ta）	4.5V，10V	105MOHM @ 2.8A，10V	2.7V @ 250µA	14.9 NC @ 10 V	±20V	504 pf @ 40 V	-	1.6W（TA）
PSMN2R0-60ES，127	1.4000	RFQ	7	NXP半导体	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	PSMN2R0		MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-PSMN2R0-60ES，127-954			1		n通道					60 V	120A（TC）	10V	2.2MOHM @ 25A，10V	4V @ 1mA	137 NC @ 10 V	±20V	9997 PF @ 30 V	-	338W（TC）
BUK6211-75C，118	-	RFQ	6937	NXP半导体	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-BUK6211-75C，118-954	Ear99	8541.29.0095	1		n通道					75 v	74a（ta）		11mohm @ 25a，10v	2.8V @ 1mA	81 NC @ 10 V	±16V	5251 PF @ 25 V	-	158W（TA）
PBLS6004D，115	0.0600	RFQ	63	NXP半导体	*	大部分	积极的					PBLS6004					下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PBLS6004D，115-954			1
NX3008PBKV，115	-	RFQ	2027	NXP半导体	*	大部分	积极的					NX3008		-			下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-NX3008PBKV，115-954	Ear99	8541.21.0095	1															-
PMCM6501VPE/S500Z	0.1900	RFQ	4	NXP半导体	*	大部分	积极的										下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-PMCM6501VPE/S500Z-954			1
BSP100,135	0.2000	RFQ	28	NXP半导体	Trenchmos™	大部分	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA			MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-BSP100,135-954	Ear99	8541.29.0095	1		n通道					30 V	3.2A（ta）	4.5V，10V	100mohm @ 2.2a，10v	2.8V @ 1mA	6 NC @ 10 V	±20V	250 pf @ 20 V	-	8.3W（TC）
BC807,215	0.0200	RFQ	497	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				250兆	TO-236AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BC807,215-954			1																		45 v	500 MA		100NA（ICBO）	PNP	700mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，1V	80MHz
BC56-10PA，115	0.0600	RFQ	30	NXP半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	3-Powerudfn				420兆W	3-Huson（2x2）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BC56-10PA，115-954			1																		80 V	1 a		100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 50mA，500mA	63 @ 150mA，2V	180MHz
PSMN015-100B，118	0.8000	RFQ	3	NXP半导体	-	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	Rohs不合规		供应商不确定	2156-PSMN015-100B，118-954	Ear99	8541.29.0075	407		n通道					100 v	75a（ta）	10V	15mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	90 NC @ 10 V	±20V	4900 PF @ 25 V	-	300W（TA）
MMRF1304NR1	25.6700	RFQ	410	NXP半导体	-	大部分	过时的	133 v		表面安装	TO-270AA		1.8MHz〜2GHz	ldmos		TO-270-2	下载	Rohs不合规		供应商不确定	2156-MMRF1304NR1	Ear99	8541.29.0075	1			7µA	10 MA	25W	25.4db											-			50 V
PBSS5130QAZ	0.0600	RFQ	9	NXP半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	表面安装	3-XDFN暴露垫				325兆	DFN1010D-3	下载	Rohs不合规		供应商不确定	2156-PBSS5130QAZ			1																		30 V	1 a		100NA	PNP	240mv @ 100mA，1a	250 @ 100mA，2V	170MHz
MW7IC930NR1	59.9800	RFQ	2	NXP半导体	-	大部分	过时的	65 v		表面安装	TO-270-16变体，平面线		920MHz〜960MHz	LDMO （双）		TO-270WB-16	-				2156-MW7IC930NR1	Ear99	8542.33.0001	6	2 n通道		10µA	285 MA	3.2W	35.9dB											-			28 V
PQMH9Z	0.0300	RFQ	8934	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的			表面安装	6-xfdfn暴露垫				230MW	DFN1010B-6	-				2156-PQMH9Z			2,592																		50V	100mA		1µA	2 NPN-预先偏见	100mV @ 250µA，5mA	100 @ 5mA，5V	230MHz	10KOHMS	47kohms
AFV10700H5	537.6400	RFQ	27	NXP半导体	-	大部分	积极的	105 v		底盘安装	NI-780-4		960MHz〜1.215GHz	LDMO （双）		NI-780-4	-				2156-AFV10700HR5			1	2 n通道		1µA	100 ma	700W	19.2db @ 1.03GHz											-			52 v
AFT21S230SR3	192.4100	RFQ	1	NXP半导体	-	大部分	过时的	65 v		表面安装	NI-780S-6		2.11GHZ〜2.17GHz	ldmos		NI-780S-6	-				2156-AFT21S230SR3			2	n通道		-	1.5 a	50W	16.7db @ 2.11GHz											-			28 V
MW7IC930GNR1	-	RFQ	3875	NXP半导体	-	大部分	过时的	65 v		表面安装	TO-270-16变体，鸥翼		920MHz〜960MHz	LDMO （双）		TO-270 WBL-16海鸥	-				2156-MW7IC930GNR1			1	2 n通道		10µA	285 MA	3.2W	35.9dB											-			28 V
MRF6V2150NBR1	59.8400	RFQ	164	NXP半导体	-	大部分	过时的	110 v		底盘安装	TO-272BB		450MHz	ldmos		TO-272 WB-4	-				2156-MRF6V2150NBR1	Ear99	8541.21.0075	6	n通道		-	450 MA	150W	25DB											-			50 V
PDTA143XT，215	0.0200	RFQ	547	NXP半导体	*	大部分	积极的										下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-PDTA143XT，215-954			1
BUK9675-100A，118	-	RFQ	6750	NXP半导体	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响	2156-BUK9675-100A，118-954			1		n通道					100 v	23A（TC）	5V，10V	72MOHM @ 10a，10v	2V @ 1mA		±15V	1704 PF @ 25 V	-	99W（TC）
PBHV8115TLH215	0.0900	RFQ	4	NXP半导体	*	大部分	积极的										下载		供应商不确定	供应商不确定	2156-PBHV8115TLH215-954			4,000
BUK7C10-75AITE，118	1.4100	RFQ	5	NXP半导体	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK-7	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-BUK7C10-75AITE，118-954			1		n通道					75 v	75A（TC）	10V	10mohm @ 50a，10v	4V @ 1mA	121 NC @ 10 V	±20V	4700 PF @ 25 V	电流感应	272W（TC）
BUK7E3R1-40E，127	0.7500	RFQ	1	NXP半导体	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-BUK7E3R1-40E，127-954			1		n通道					40 V	100A（TC）	10V	3.1MOHM @ 25A，10V	4V @ 1mA	79 NC @ 10 V	±20V	6200 PF @ 25 V	-	234W（TC）
BUK7Y20-30B，115	1.0000	RFQ	3955	NXP半导体	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669			MOSFET （金属 o化物）		LFPAK56，Power-SO8	下载						0000.00.0000	1		n通道					30 V	39.5A（TC）	10V	20mohm @ 20a，10v	4V @ 1mA	11.2 NC @ 10 V	±20V	688 pf @ 25 V	-	59W（TC）
ON5173118	0.7300	RFQ	3	NXP半导体	*	大部分	积极的										下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-ON5173118-954	Ear99	0000.00.0000	1
BUK7E5R2-100E，127	1.1100	RFQ	473	NXP半导体	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-BUK7E5R2-100E，127-954		0000.00.0000	1		n通道					100 v	120A（TC）	10V	5.2MOHM @ 25A，10V	4V @ 1mA	180 NC @ 10 V	±20V	11810 PF @ 25 V	-	349W（TC）
PHP27NQ11T，127	0.6100	RFQ	4	NXP半导体	Trenchmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		不适用	到达不受影响	2156-PHP27NQ11T，127-954			536		n通道					110 v	27.6A（TC）	10V	50mohm @ 14a，10v	4V @ 1mA	30 NC @ 10 V	±20V	1240 pf @ 25 V	-	107W（TC）
PBSS5160QAZ	-	RFQ	6848	NXP半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	表面安装	3-XDFN暴露垫				325兆	DFN1010D-3	下载	Rohs不合规		供应商不确定	2156-PBSS5160QAZ	Ear99	8541.29.0075	1																		60 V	1 a		100NA	PNP	460mv @ 50mA，1a	160 @ 100mA，2V	150MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（506）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²