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晶体管（（17799）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
FQB12N50TM_AM002	-	RFQ	4462	Onmi	QFET®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FQB1		MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道		500 v	12.1A（TC）	10V	490MOHM @ 6.05a，10V	5V @ 250µA	51 NC @ 10 V	±30V	2020 PF @ 25 V	-	3.13W（ta），179w（tc）
2N3704_D27Z	-	RFQ	4153	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	2N3704			625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																30 V	500 MA						100NA（ICBO）	NPN	1V @ 5mA，100mA	100 @ 50mA，5V	100MHz
MGSF1N02ELT1G	-	RFQ	1144	Onmi	*		过时的				MGSF1					-		（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	3,000
ECH8651R-TL-HX	-	RFQ	7858	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	ECH8651		MOSFET （金属 o化物）	1.5W	8-ech	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）			24V	10a		14mohm @ 5A，4.5V	-	24NC @ 10V		-	逻辑级别门
FQPF6N80	-	RFQ	3461	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FQPF6		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		800 v	3.3A（TC）	10V	1.95OHM @ 1.65A，10V	5V @ 250µA	31 NC @ 10 V	±30V	1500 pf @ 25 V	-	51W（TC）
2SC2812-5-TB-E	0.0200	RFQ	387	Onmi	*	大部分	过时的									下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000
NDS8435	-	RFQ	5967	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	NDS843		MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道		30 V	7a（ta）		28mohm @ 7a，10v	3V @ 250µA	60 NC @ 10 V		1500 pf @ 15 V	-
BS170RLAG	-	RFQ	2506	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	BS170		MOSFET （金属 o化物）		TO-92（to-226）	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000		n通道		60 V	500mA（ta）	10V	5ohm @ 200mA，10v	3V @ 1mA		±20V	60 pf @ 10 V	-	350MW（TA）
NDT452P	-	RFQ	6414	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	TO-261-4，TO-261AA	NDT452		MOSFET （金属 o化物）		SOT-223-4	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道		30 V	3A（3A）		180MOHM @ 3A，10V	3V @ 250µA	25 NC @ 10 V		525 pf @ 10 V	-
mpsa63rlra	-	RFQ	7843	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	MPSA63			625兆	TO-92（to-226）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																30 V	500 MA						100NA（ICBO）	pnp-达灵顿	1.5V @ 100µA，100mA	10000 @ 100mA，5V	125MHz
NVTFS4C06NWFTAG	1.7300	RFQ	3473	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	NVTFS4		MOSFET （金属 o化物）		8-WDFN（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道		30 V	21a（21a）	4.5V，10V	4.2MOHM @ 30a，10v	2.2V @ 250µA	26 NC @ 10 V	±20V	1683 PF @ 15 V	-	3.1W（37W），37W（tc）
NTHS5404T1G	1.2300	RFQ	7	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	NTHS5404		MOSFET （金属 o化物）		chipfet™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		20 v	5.2a（ta）	2.5V，4.5V	30mohm @ 5.2A，4.5V	600mv @ 250µA（250µA））	18 nc @ 4.5 V	±12V		-	1.3W（TA）
NTP27N06L	-	RFQ	2259	Onmi	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	NTP27N		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		60 V	27a（27A）	5V	48mohm @ 13.5a，5v	2V @ 250µA	32 NC @ 5 V	±15V	990 pf @ 25 V	-	88.2W（TC）
FDD3580	-	RFQ	3407	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FDD358		MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		80 V	7.7a（ta）	6V，10V	29mohm @ 7.7A，10V	4V @ 250µA	49 NC @ 10 V	±20V	1760 pf @ 40 V	-	3.8W（ta），42W（tc）
mjd31citu	-	RFQ	1963年	Onmi	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	MJD31			1.56 w	我帕克	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	70																100 v	3 a						50µA	NPN	1.2V @ 375mA，3a	10 @ 3A，4V	3MHz
MUN5235DW1T1	-	RFQ	9394	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	MUN52			250MW	SC-88/SC70-6/SOT-363	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																50V	100mA						500NA	2 NPN- 预偏（双重）	250mv @ 300µA，10mA	80 @ 5mA，10v	-	2.2kohms	47kohms
mpsa28rrpg	-	RFQ	2700	Onmi	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	MPSA28			625兆	TO-92（to-226）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																80 V	500 MA						500NA	npn-达灵顿	1.5V @ 100µA，100mA	10000 @ 100mA，5V	200MHz
MJD44H11T4	-	RFQ	7770	Onmi	-	（CT）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	MJD44			20 w	DPAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,500																80 V	8 a						1µA	NPN	1V @ 400mA，8a	60 @ 2a，1V	85MHz
MTW16N40E	1.2300	RFQ	24	Onmi	*	大部分	积极的									下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1
EMG2DXV5T1	-	RFQ	6645	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	SOT-553	EMG2DX			230MW	SOT-553	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	4,000																50V	100mA						500NA	2 NPN- 预偏（双重）	250mv @ 300µA，10mA	80 @ 5mA，10v	-	47kohms	47kohms
MJD31T4G	0.9400	RFQ	1	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	MJD31			1.56 w	DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500																40 V	3 a						50µA	NPN	1.2V @ 375mA，3a	10 @ 3A，4V	3MHz
MCH6423-TL-E	0.0800	RFQ	576	Onmi	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	3,000
MPSA63_D26Z	-	RFQ	6945	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	MPSA63			625兆	TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000																30 V	1.2 a						100NA（ICBO）	pnp-达灵顿	1.5V @ 100µA，100mA	10000 @ 100mA，5V	125MHz
NVMFS5C646NLAFT3G	0.8491	RFQ	9116	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NVMFS5		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道		60 V	20A（20A），93A （TC）	4.5V，10V	4.7MOHM @ 50a，10v	2V @ 250µA	33.7 NC @ 10 V	±20V	2164 PF @ 25 V	-	3.7W（ta），79w（tc）
FGAF40N60UFDTU	4.8500	RFQ	280	Onmi	-	管子	上次购买	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3	FGAF40	标准		100 W	to-3pf	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	2166-FGAF40N60UFDTU-488	Ear99	8541.29.0095	30			300V，20a，10ohm，15V											95 ns	-	600 v	40 a	160 a	3V @ 15V，20A	470µJ（在）上，130µj（（）	77 NC	15NS/65NS
HUF76633S3S	-	RFQ	7009	Onmi	Ultrafet™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	HUF76		MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		100 v	39A（TC）	4.5V，10V	35mohm @ 39a，10v	3V @ 250µA	67 NC @ 10 V	±16V	1820 PF @ 25 V	-	145W（TC）
FQB25N33TM-F085	-	RFQ	9355	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FQB2		MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道		330 v	25A（TC）	10V	230MOHM @ 12.5A，10V	5V @ 250µA	75 NC @ 15 V	±30V	2010 PF @ 25 V	-	3.1W（TA），250W（tc）
MMBT3906TT1G	0.1800	RFQ	6722	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-75，SOT-416	MMBT3906			200兆	SC-75，SOT-416	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																40 V	200 ma						-	PNP	400mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	250MHz
NTMFS5C612NLT1G-UIL5	5.6400	RFQ	3079	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索	NTMFS5		MOSFET （金属 o化物）		5-DFN （5x6）（8-SOFL）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道		60 V	36a（TA），235a （TC）	4.5V，10V	1.5MOHM @ 50a，10V	2V @ 250µA	91 NC @ 10 V	±20V	6660 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），167W（TC）
FDD8580	-	RFQ	9021	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	FDD858		MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		20 v	35A（TC）	4.5V，10V	9mohm @ 35a，10v	2.5V @ 250µA	27 NC @ 10 V	±20V	1445 pf @ 10 V	-	49.5W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（17799）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²