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晶体管（（17799）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
BC548CBU	-	RFQ	2875	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	BC548		500兆		TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,000														30 V	100 ma		15NA（icbo）			NPN	600mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	300MHz
BSP52T1G	0.4900	RFQ	17	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	BSP52		800兆		SOT-223（TO-261）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1,000														80 V	1 a		10µA			npn-达灵顿	1.3V @ 500µA，500mA	2000 @ 500mA，10V	-
BC856BLT1G	0.1500	RFQ	50	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC856		300兆		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000														65 v	100 ma		15NA（icbo）			PNP	650mv @ 5mA，100mA	220 @ 2mA，5V	100MHz
KSC3073YTU	-	RFQ	8910	Onmi	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	KSC3073		1 w		我帕克	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	5,040														30 V	3 a		1µA（ICBO）			NPN	800mv @ 200mA，2a	120 @ 500mA，2V	100MHz
SBCP68T1G	-	RFQ	3636	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	SBCP68		1.5 w		SOT-223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000														20 v	1 a		10µA（ICBO）			NPN	500mv @ 100mA，1a	85 @ 500mA，1V	60MHz
MPS5172	-	RFQ	7561	Onmi	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	MPS517		625兆		TO-92（to-226）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	MPS5172OS	Ear99	8541.21.0095	5,000														25 v	100 ma		100NA			NPN	250mv @ 1mA，10mA	100 @ 10mA，10v	-
BC546A	-	RFQ	7655	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	BC546		500兆		TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	2,000														65 v	100 ma		15NA（icbo）			NPN	600mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	300MHz
NXH40B120MNQ0SNG	119.3900	RFQ	1604	Onmi	-	托盘	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块			118 w	标准	22-pim/q0boost （55x32.5）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	488-NXH40B120MNQ0SNG	Ear99	8541.29.0095	24	双提升斩波器												-			-		是的	3.227 NF @ 20 V
FJY3015R	-	RFQ	1448	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	SC-89，SOT-490	FJY301				SC-89-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000														50 V	100 ma		100NA（ICBO）			npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	33 @ 10mA，5V	250 MHz	2.2 kohms	10 kohms
RFP3055LE	-	RFQ	2891	Onmi	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	RFP30	MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	RFP3055LE-NDR	Ear99	8541.29.0095	400		n通道	60 V	11A（TC）	5V	107MOHM @ 8A，5V	3V @ 250µA	11.3 NC @ 10 V	±16V	350 pf @ 25 V	-	38W（TC）
FDMC7200	0.9300	RFQ	3	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	FDMC72	MOSFET （金属 o化物）	700MW，1W		8-Power33（3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		30V	7a，13a		22mohm @ 6a，10v	3V @ 250µA	10NC @ 10V		660pf @ 15V	逻辑级别门
FJV4108RMTF	-	RFQ	4417	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	FJV410		200兆		SOT-23-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000														50 V	100 ma		100NA（ICBO）			pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	56 @ 5mA，5V	200 MHz	47科姆斯	22 KOHMS
BD234G	0.9100	RFQ	1	Onmi	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	BD234		25 w		TO-126	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500														45 v	2 a		100µA（ICBO）			PNP	600mv @ 100mA，1a	25 @ 1A，2V	3MHz
BD137	-	RFQ	3348	Onmi	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	BD137		1.25 w		TO-126	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500														60 V	1.5 a		100NA（ICBO）			NPN	500mv @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，2V	-
tip31atu	-	RFQ	1218	Onmi	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	提示31		2 w		TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000														60 V	3 a		300µA			NPN	1.2V @ 375mA，3a	10 @ 3A，4V	3MHz
FDP10AN06A0	-	RFQ	4009	Onmi	PowerTrench®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FDP10	MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400		n通道	60 V	（12a）（ta），75a tc（TC）	6V，10V	10.5MOHM @ 75A，10V	4V @ 250µA	37 NC @ 10 V	±20V	1840 pf @ 25 V	-	135W（TC）
2SC4134T-E	-	RFQ	4593	Onmi	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	2SC4134		800兆		TP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	500														100 v	1 a		100NA（ICBO）			NPN	400mv @ 40mA，400mA	200 @ 100mA，5V	120MHz
NSBA114EDXV6T5G	-	RFQ	2333	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	SOT-563，SOT-666	NSBA114		500MW		SOT-563	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000														50V	100mA		500NA			2 PNP-）	250mv @ 300µA，10mA	35 @ 5mA，10v	-	10KOHMS	10KOHMS
FDZ294N	-	RFQ	9703	Onmi	PowerTrench®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	9-vfbga	FDZ29	MOSFET （金属 o化物）			9-BGA（1.5x1.6）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	6a（6a）	2.5V，4.5V	23mohm @ 6a，4.5V	1.5V @ 250µA	10 NC @ 4.5 V	±12V	670 pf @ 10 V	-	1.7W（TA）
KST06MTF	-	RFQ	8474	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	KST06		350兆		SOT-23-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000														80 V	500 MA		100NA			NPN	250mv @ 10mA，100mA	50 @ 100mA，1V	100MHz
BC547_J22Z	-	RFQ	5118	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	BC547		500兆		TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,500														45 v	100 ma		15NA（icbo）			NPN	600mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	300MHz
MJD200T5G	-	RFQ	8804	Onmi	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	MJD20		1.4 w		DPAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	8,000														25 v	5 a		100NA（ICBO）			NPN	1.8V @ 1a，5a	45 @ 2a，1V	65MHz
FJPF13007H2	-	RFQ	2170	Onmi	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	FJPF13007		40 W		TO-220F-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	200														400 v	8 a		-			NPN	3V @ 2a，8a	26 @ 2a，5v	4MHz
FQA8N90C	-	RFQ	4918	Onmi	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	FQA8	MOSFET （金属 o化物）			to-3p	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道	900 v	8A（TC）	10V	1.9OHM @ 4A，10V	5V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±30V	2080 pf @ 25 V	-	240W（TC）
NTDV2955-1G	-	RFQ	7071	Onmi	-	管子	过时的	-	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	NTDV29	-			我帕克	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		-		12a（12a）		-	-				-	-
KSA709OTA	-	RFQ	2086	Onmi	-	（TB）	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	KSA709		800兆		TO-92-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000														150 v	700 MA		100NA（ICBO）			PNP	400mv @ 20mA，200mA	70 @ 50mA，2V	50MHz
2SA1708S-AN-AN	-	RFQ	9776	Onmi	-	（TB）	过时的				2SA1708					-		（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	2,500
NTPF165N65S3H	4.6800	RFQ	996	Onmi	SuperFet®III	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）			TO-220FP	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	650 v	19a（tc）	10V	165MOHM @ 9.5A，10V	4V @ 1.6mA	35 NC @ 10 V	±30V	1808 PF @ 400 V	-	33W（TC）
NVMFS5C404NWFT1G-M	-	RFQ	1346	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powertdfn，5个线索		MOSFET （金属 o化物）			5-DFN （5x6）（8-SOFL）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	488-NVMFS5C404NWFT1G-MTR	Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道	40 V	53A（ta），378a （TC）	10V	0.7MOHM @ 50a，10V	4V @ 250µA	128 NC @ 10 V	±20V	8400 PF @ 25 V	-	3.9W（TA），200W（200W）TC）
NVMYS2D9N04CLTWG	1.7700	RFQ	1705年	Onmi	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-1023，4-LFPAK	NVMYS2	MOSFET （金属 o化物）			LFPAK4（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	27a（27a），110a（tc）	4.5V，10V	2.8mohm @ 40a，10v	2V @ 60µA	35 NC @ 10 V	±20V	2100 PF @ 20 V	-	3.7W（TA），68W（tc）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（17799）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²