晶体管(13833)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	频率	技术	功率-最大	输入	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	额定电流（安培）	测试条件	当前-测试	功率-输出	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	噪声系数	反向恢复T (trr)	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 集电极脉冲 (Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C	电压 - 测试	电流 - 电极电极电流（最大）	NTC热敏电阻	输入电容 (Cies) @ Vce	晶体管类型	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	噪声系数（dB Typ @ f）
IPD80R900P7ATMA1	1.6300	询价	6	英飞凌科技	CoolMOS™ P7	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	IPD80R900			MOSFET（金属O化物）			PG-TO252-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道						800V	6A（温度）	10V	900毫欧@2.2A，10V	3.5V@110μA	15nC@10V	±20V	350 pF @ 500 V	-	45W（温度）
IPB039N10N3GE8187ATMA1	-	询价	3172	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-7，D²Pak（6引脚+接片）	IPB039			MOSFET（金属O化物）			PG-TO263-7	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道						100伏	160A（温度）	6V、10V	3.9毫欧@100A，10V	3.5V@160μA	117nC@10V	±20V	8410pF@50V	-	214W（温度）
IPDQ60R017S7AXTMA1	20.3200	询价	4002	英飞凌科技	CoolMOS™ S7	卷带式 (TR)	的积极		-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	22-PowerBSOP模块	IPDQ60R			MOSFET（金属O化物）			PG-HDSOP-22-1	-		1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	750		N沟道						600伏	30A（温度）	12V	17毫欧@29A，12V	4.5V@1.89mA	196nC@12V	±20V	7370pF@300V	-	500W（温度）
IPAN65R650CEXKSA1	1.4200	询价	9218	英飞凌科技	CoolMOS™	管子	的积极		-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	TO-220-3全包	IPAN65			MOSFET（金属O化物）			PG-TO220-FP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500		N沟道						650伏	10.1A（温度）	10V	650毫欧@2.1A，10V	3.5V@210μA	23nC@10V	±20V	100V时为440pF	-	28W（温度）
IPD30N06S3L-20	-	询价	5119	英飞凌科技	OptiMOS®	大部分	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63				MOSFET（金属O化物）			PG-TO252-3-11	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道						55V	30A（温度）	5V、10V	20毫欧@17A，10V	2.2V@20μA	37nC@10V	±16V	2600pF@25V	-	45W（温度）
IPB023N06N3GATMA1	-	询价	2239	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-7，D²Pak（6引脚+接片）	IPB023N			MOSFET（金属O化物）			PG-TO263-7	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道						60V	140A（温度）	10V	2.3毫欧@100A，10V	4V@141μA	198nC@10V	±20V	16000pF@30V	-	214W（温度）
IQDH88N06LM5ATMA1	1.9670	询价	3793	英飞凌科技	*	卷带式 (TR)	的积极												-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	448-IQDH88N06LM5ATMA1TR			5,000
FD1000R33HL3KB60BPSA1	-	询价	2398	英飞凌科技	IHM-B	托盘	SIC停产		-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	模块	FD1000				1600000W	标准	AG-IHVB190	-	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1	双斩制动波器																			沟渠场站	3300伏	1000A		2.85V@15V，1kA					5毫安	不	190nF@25V
BSM100GD120DLCBOSA1	332.1020	询价	8391	英飞凌科技	-	托盘	最后一次购买		-55°C ~ 150°C（太焦）	安装结构	模块	BSM100					标准	模块	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行			0000.00.0000	10	单身的																			不扩散条约	1200伏	100A		2.6V@15V，100A					12.2微安	不	6.5nF@25V
IKY75N120CH3XKSA1	18.8900	询价	第425章	英飞凌科技	-	管子	不适合新设计		-40°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-4	IKY75N120	标准			938 W		PG-TO247-4	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	30				600V，75A，6欧姆，15V															292纳秒	-	1200伏	150A	300A	2.35V@15V，75A	3.4mJ（开），2.9mJ（关）	370℃	38纳秒/303纳秒
IRFHM830DTRPBF	-	询价	5874	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-VQFN 裸露焊盘				MOSFET（金属O化物）			PQFN (3x3)	下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP001554840	EAR99	8541.29.0095	4,000		N沟道						30V	20A（Ta）、40A（Tc）	4.5V、10V	4.3毫欧@20A，10V	2.35V@50μA	27nC@10V	±20V	1797pF@25V	-	2.8W（Ta）、37W（Tc）
AUIRF2903ZL	-	询价	7839	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA				MOSFET（金属O化物）			TO-262	下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP001520876	EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道						30V	160A（温度）	10V	2.4毫欧@75A，10V	4V@150μA	240nC@10V	±20V	6320pF@25V	-	231W（温度）
BSB053N03LP G	-	询价	1041	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	过时的		-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	3-WDSON				MOSFET（金属O化物）			MG-WDSON-2、CanPAK M™	下载		3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道						30V	17A（Ta）、71A（Tc）	4.5V、10V	5.3毫欧@30A，10V	2.2V@250μA	29nC@10V	±20V	2700pF@15V	-	2.3W（Ta）、42W（Tc）
IRF3707ZSPBF	-	询价	4643	英飞凌科技	HEXFET®	管子	SIC停产		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB				MOSFET（金属O化物）			D2PAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道						30V	59A（TC）	4.5V、10V	9.5毫欧@21A，10V	2.25V@25μA	15nC@4.5V	±20V	1210pF@15V	-	57W（温度）
IPD80R2K0P7ATMA1	1.1100	询价	79	英飞凌科技	CoolMOS™ P7	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	IPD80R2			MOSFET（金属O化物）			PG-TO252-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道						800V	3A（温度）	10V	2欧姆@940mA，10V	3.5V@50μA	9nC@10V	±20V	175 pF @ 500 V	-	24W（温度）
IRFP4568PBF	8.2900	询价	9820	英飞凌科技	HEXFET®	管子	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3	IRFP4568			MOSFET（金属O化物）			TO-247AC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	SP001560548	EAR99	8541.29.0095	25		N沟道						150伏	171A（TC）	10V	5.9毫欧@103A，10V	5V@250μA	227nC@10V	±30V	10470pF@50V	-	517W（温度）
IRG4BC15UD	-	询价	7709	英飞凌科技	-	管子	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	IRG4BC15	标准			49 W		TO-220AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行	*IRG4BC15UD	EAR99	8541.29.0095	50				480V，7.8A，75欧姆，15V															28纳秒	-	600伏	14A	42A	2.4V@15V，7.8A	240μJ（开），260μJ（关）	23nC	17纳秒/160纳秒
BUZ323	3.0100	询价	10	英飞凌科技	-	大部分	的积极												下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1
BG5120KE6327HTSA1	-	询价	5952	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的	8V		表面贴装	6-VSSOP、SC-88、SOT-363			800兆赫	场效应管			PG-SOT363-PO	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）		20毫安		10毫安	-	23分贝											1.1分贝										5V
IRF7488PBF	-	询价	4846	英飞凌科技	HEXFET®	管子	SIC停产			表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	IRF7488			MOSFET（金属O化物）			8-SO	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	95		N沟道						80V	6.3A（塔）	10V	29毫欧@3.8A，10V	4V@250μA	57nC@10V	±20V	1680pF@25V	-	2.5W（塔）
PTFA142401ELV4XWSA1	-	询价	2373	英飞凌科技	-	托盘	过时的	65V		安装结构	H-33288-2			1.5GHz	LDMOS			H-33288-2	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	40			10微安		2A	240W	16.5分贝											-										30V
IPD70N12S3L12ATMA1	-	询价	2365	英飞凌科技	汽车、AEC-Q101、OptiMOS™	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	瞳距70			MOSFET（金属O化物）			PG-TO252-3-11	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道						120V	70A（温度）	4.5V、10V	11.5毫欧@70A，10V	2.4V@83μA	77nC@10V	±20V	5550pF@25V	-	125W（温度）
IRGS4630DPBF	-	询价	2681	英飞凌科技	-	管子	过时的		-40°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB		标准			206W		D2PAK	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50				400V，18A，22欧姆，15V															100纳秒	-	600伏	47一个	54A	1.95V@15V，18A	95μJ（开），350μJ（关）	35nC	40纳秒/105纳秒
BFP182WE6327	0.0800	询价	27	英飞凌科技	-	大部分	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	SC-82A、SOT-343					250毫W		PG-SOT343-4	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000							22分贝														12V	35毫安										NPN	70@10mA，8V	8GHz	0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
IRFC250NB	-	询价	4149	英飞凌科技	HEXFET®	大部分	过时的		-	表面贴装	死				MOSFET（金属O化物）			死	-	符合ROHS3标准		REACH 不出行	448-IRFC250NB	过时的		1		-						200V	-	-	-	-		-		-	-
IPI041N12N3GAKSA1	6.3500	询价	500	英飞凌科技	OptiMOS™	管子	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	IPI041			MOSFET（金属O化物）			PG-TO262-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道						120V	120A（温度）	10V	4.1毫欧@100A，10V	4V@270μA	211nC@10V	±20V	13800pF@60V	-	300W（温度）
FP75R12KT4B15BOSA1	217.7200	询价	17号	英飞凌科技	EconoPIM™ 3	托盘	的积极		-40℃～150℃	安装结构	模块	FP75R12				385W	标准	模块	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	10	天线塔																			沟渠场站	1200伏	75A		2.15V@15V，75A					1毫安	是的	4.3nF@25V
IPP034N08N5AKSA1	3.2500	询价	第887章	英飞凌科技	OptiMOS™	管子	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	IPP034			MOSFET（金属O化物）			PG-TO220-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道						80V	120A（温度）	6V、10V	3.4毫欧@100A，10V	3.8V@108μA	87nC@10V	±20V	6240pF@40V	-	167W（温度）
IPI14N03LA	-	询价	5647	英飞凌科技	OptiMOS™	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	IPI14N			MOSFET（金属O化物）			PG-TO262-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500		N沟道						25V	30A（温度）	4.5V、10V	13.9毫欧@30A，10V	2V@20μA	5V时为8.3nC	±20V	1043pF@15V	-	46W（温度）
FZ400R12KS4HOSA1	156.3400	询价	9130	英飞凌科技	C	托盘	的积极		-40℃～125℃	安装结构	模块	FZ400R12				2500W	标准	模块	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	10	单身的																			-	1200伏	510A		3.7V@15V，400A					5毫安	不	26nF@25V

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(13833)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²