晶体管(13833)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	频率	技术	功率-最大	输入	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	额定电流（安培）	测试条件	当前-测试	功率-输出	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	噪声系数	反向恢复T (trr)	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 集电极脉冲 (Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C	电压 - 测试	电流 - 电极电极电流（最大）	NTC热敏电阻	输入电容 (Cies) @ Vce	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化
奥克斯TMGPS4070D2	-	询价	4965	英飞凌科技	-	大部分	过时的		-			自动气象卫星导航系统	-						-			REACH 不出行	448-AUXTMGPS4070D2	EAR99	8541.29.0095	1				-																-				-	-		-
IHW50N65R5XKSA1	4.7800	询价	8845	英飞凌科技	TrenchStop®	管子	的积极		-40°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3	IHW50N65	标准			282W		PG-TO247-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	30				400V，25A，8欧姆，15V															95纳秒	-	650伏	80A	150A	1.7V@15V，50A	740μJ（开），180μJ（关）	230℃	26纳秒/220纳秒
IRG4BC20U-S	-	询价	3417	英飞凌科技	-	管子	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3		标准			60W		TO-220AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行	*IRG4BC20U-S	EAR99	8541.29.0095	50				480V，6.5A，50欧姆，15V																-	600伏	16A	52A	2V@15V，9A	100μJ（开），120μJ（关）	27nC	21纳秒/86纳秒
IRG7PH46UD-EP	-	询价	3571	英飞凌科技	-	管子	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3	IRG7PH	标准			390W		TO-247AD	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	SP001540700	EAR99	8541.29.0095	400				600V，40A，10欧姆，15V															140纳秒	沟	1200伏	40A	160A	2V@15V，40A	2.61mJ（开），1.85mJ（关）	220℃	45纳秒/410纳秒
FD450R12KE4HPSA1	170.7070	询价	3494	英飞凌科技	-	托盘	的积极												-	符合ROHS3标准						10
IRF7413ZPBF	-	询价	3508	英飞凌科技	HEXFET®	管子	SIC停产		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）				MOSFET（金属O化物）			8-SO	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	SP001551348	EAR99	8541.29.0095	3,800		N沟道						30V	13A（塔）	4.5V、10V	10毫欧@13A，10V	2.25V@25μA	14nC@4.5V	±20V	1210pF@15V	-	2.5W（塔）
63-9019	-	询价	5942	英飞凌科技	-	大部分	过时的		-	-	-	-	-					-	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		过时的		1				-																-				-	-		-
IHW30N140R5LXKSA1	4.1500	询价	7726	英飞凌科技	-	管子	的积极												下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		448-IHW30N140R5LXKSA1	EAR99	8541.29.0095	30
IRG4IBC30WPBF-INF	1.5600	询价	第844章	英飞凌科技	-	大部分	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包		标准			45W		TO220全包	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	0000.00.0000	1				480V，12A，23欧姆，15V																-	600伏	17A	92A	2.7V@15V，12A	130μJ（开），130μJ（关）	51nC	25纳秒/99纳秒
BSS316NH6327XTSA1	0.4200	询价	第694章	英飞凌科技	OptiMOS™	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	BSS316			MOSFET（金属O化物）			PG-SOT23	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道						30V	1.4A（塔）	4.5V、10V	160毫欧@1.4A，10V	2V@3.7μA	0.6nC@5V	±20V	94pF@15V	-	500毫W（塔）
IRGR4607DTRPBF	-	询价	2771	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的		-40°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63		标准			58W		PG-TO252-3	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,000				400V，1.5A，100欧姆，15V															48纳秒	-	600伏	11A	12A	2.05V@15V，4A	140μJ（开），62μJ（关）	9纳克	27纳秒/120纳秒
IHW30N135R3	2.5500	询价	第1532章	英飞凌科技	TRENCHSTOP™	大部分	的积极		-40°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3		标准			349 W		PG-TO247-3	下载	不适用	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	88				600V，30A，10欧姆，15V																沟渠场站	1350伏	60A	90A	1.85V@15V，30A	1.93mJ（关闭）	263 nC	-/337ns
IGW30N60TP	1.1200	询价	2402	英飞凌科技	TRENCHSTOP™	大部分	的积极		-40°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3		标准			200W		PG-TO247-3	下载					EAR99	8542.39.0001	第232章				400V，30A，10.5欧姆，15V																沟渠场站	600伏	53A	90A	1.8V@15V，30A	710μJ（开），420μJ（关）	130 纳克	15纳秒/179纳秒
IRG4BC20UDPBF	-	询价	4566	英飞凌科技	-	管子	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3		标准			60W		TO-220AB	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000				480V，6.5A，50欧姆，15V															37纳秒	-	600伏	13A	52A	2.1V@15V，6.5A	160μJ（开），130μJ（关）	27nC	39纳秒/93纳秒
PTFB193408SVV1XWSA1	-	询价	4327	英飞凌科技	-	托盘	过时的	65V		安装结构	H-34275G-6/2			1.99GHz	LDMOS			H-34275G-6/2	下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP001028956	过时的	0000.00.0000	1	双重、共同来源		-		2.65安	80W	19分贝											-										30V
FP50R12KT4PBPSA1	150.3600	询价	8778	英飞凌科技	EconoPIM™2	托盘	的积极		-40℃～150℃	安装结构	模块	FP50R12				20毫W	东部桥式调整器	模块	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	10	天线塔																			沟渠场站	1200伏	100A		2.15V@15V，25A					1毫安	是的	1.45nF@25V
IPP048N12N3 G	-	询价	3908	英飞凌科技	*	大部分	过时的												-	不适用	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1
SMBT 3904 E6433	1.0000	询价	7611	英飞凌科技	-	大部分	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-6薄型、TSOT-23-6					330毫W		PG-SC74-6	下载	不适用	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	10,000																					40V	200毫安							50nA（ICBO）			NPN	300毫伏@5毫安，50毫安	100@10mA，1V	300兆赫
BCP5610E6327HTSA1	-	询价	9800	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的		150°C（太焦）	表面贴装	TO-261-4、TO-261AA	BCP56				2W		PG-SOT223-4-10	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	1,000																					80V	1A							100nA（ICBO）			NPN	500毫伏@50毫安，500毫安	63@150mA，2V	100兆赫兹
IRG4PC40UPBF	-	询价	7898	英飞凌科技	-	包	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3		标准			160W		TO-247AC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	25				480V，20A，10欧姆，15V																-	600伏	40A	160A	2.1V@15V，20A	320μJ（开），350μJ（关）	100纳克	34纳秒/110纳秒
ISK024NE2LM5AULA1	0.9200	询价	8	英飞凌科技	OptiMOS™、StrongIRFET™	卷带式 (TR)	SIC停产		-	表面贴装	6电源VDFN	ISK024N			MOSFET（金属O化物）			6-PQFN 双 (2x2)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		-						40V	-	-	-	-		±16V		-	-
IRF7233TRPBF	-	询价	8296	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）				MOSFET（金属O化物）			8-SO	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	4,000		P沟道						12V	9.5A（塔）	2.5V、4.5V	20毫欧@9.5A，4.5V	600mV @ 250μA（极低）	74nC@5V	±12V	6000pF@10V	-	2.5W（塔）
IHW30N90T	2.6600	询价	5	英飞凌科技	TrenchStop®	大部分	的积极		-40°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3		标准			428 W		PG-TO247-3-1	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1				600V，30A，15欧姆，15V																沟渠场站	900伏	60A	90A	1.7V@15V，30A	1.8mJ（关闭）	280℃	45纳秒/556纳秒
BC818K-40E6327	0.0400	询价	32	英飞凌科技	汽车，AEC-Q101	大部分	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3					500毫W		PG-SOT23	下载	不适用	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	7,532																					25V	500毫安							100nA（ICBO）				700毫伏@50毫安，500毫安	250@100mA，1V	170兆赫
IPA65R190C6XKSA1	-	询价	3325	英飞凌科技	CoolMOS™	管子	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	IPA65R			MOSFET（金属O化物）			PG-TO220-3-111	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	500		N沟道						650伏	20.2A（温度）	10V	190毫欧@7.3A，10V	3.5V@730μA	73nC@10V	±20V	1620pF@100V	-	34W（温度）
IRF8714TRPBF	0.7000	询价	2270	英飞凌科技	HEXFET®	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	IRF8714			MOSFET（金属O化物）			8-SO	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	4,000		N沟道						30V	14A（塔）	4.5V、10V	8.7毫欧@14A，10V	2.35V@25μA	12nC@4.5V	±20V	1020pF@15V	-	2.5W（塔）
IPD90R1K2C3ATMA1	0.8583	询价	7116	英飞凌科技	CoolMOS™	卷带式 (TR)	不适合新设计		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	瞳距90			MOSFET（金属O化物）			PG-TO252-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道						900伏	5.1A（温度）	10V	1.2欧姆@2.8A，10V	3.5V@310μA	28nC@10V	±20V	710 pF @ 100 V	-	83W（温度）
AUIRFB4610	-	询价	2165	英飞凌科技	HEXFET®	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3				MOSFET（金属O化物）			TO-220AB	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道						100伏	73A（温度）	10V	14毫欧@44A，10V	4V@100μA	140nC@10V	±20V	3550pF@50V	-	190W（温度）
IRG5K200HF06A	-	询价	2552	英飞凌科技	-	盒子	过时的		-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	POWIR® 34 模块					800W	标准	POWIR®34	下载		1（无限制）	REACH 不出行	SP001544746	EAR99	8541.29.0095	20	半桥																			-	600伏	340A		2.1V@15V，200A					1毫安	不	11.9nF@25V
AUIRGS4062D1TRL	-	询价	6005	英飞凌科技	-	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	AUIRGS4062	标准			246 W		D²PAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800				400V，24A，10欧姆，15V															102纳秒	沟	600伏	59一个	72A	1.77V@15V，24A	532μJ（开），311μJ（关）	77 纳克	19纳秒/90纳秒

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(13833)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²