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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
1N3323RA	49.3800	RFQ	5221	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N3323		50 W	do-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A		10 µA @ 20.6 V				27 V	2.8欧姆
JANTXV1N3168R	-	RFQ	3215	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/211	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205ab，do-9，螺柱		标准		DO-205AB（DO-9）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	400 v	1.55 V @ 940 A		10 ma @ 400 V	-65°C 〜200°C	300A	-
1月1N4489	8.1900	RFQ	4574	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4489		1.5 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1 V @ 200 MA		250 na @ 80 V				100 v	250欧姆
Jan1n457777aur-1	9.9150	RFQ	4550	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/452	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4577		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V				6.4 v	50欧姆
1N5920BP/TR8	1.8900	RFQ	7021	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5920		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,500			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 4 V				6.2 v	2欧姆
jankca1n4134	-	RFQ	6277	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向			500兆	DO-7（do-204AA）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANKCA1N4134	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 NA @ 69.16 V				91 v	1200欧姆
JANTXV1N4994C	-	RFQ	7647	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	E，轴向			5 w	E，轴向	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 251 V				330 v	1175欧姆
1N6625E3/tr	16.5300	RFQ	8497	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	a，轴向		标准		a，轴向	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N6625E3/tr	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1100 v	1.95 V @ 1.5 A	80 ns	1 µA @ 1100 V	-65°C〜150°C	1a	-
1N4746CPE3/TR8	1.1550	RFQ	2818	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4746		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,500			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 13.7 V				18 V	20欧姆
CDLL4469	11.4600	RFQ	7672	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL4469		1.5 w	do-213ab	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1 V @ 200 MA		50 na @ 12 V				15 v	9欧姆
UFS505G/TR13	4.1400	RFQ	2839	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的					UFS505				-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000
R30460	40.6350	RFQ	9415	微芯片技术	R304	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	R304	标准		do-5	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	600 v	1.19 V @ 90 A	5 µs	10 µA @ 600 V	-65°C 〜200°C	40a	-
JTXM19500/483-02	581.0550	RFQ	6259	微芯片技术	*	大部分	积极的					JTXM19500				-	Rohs不合规		到达不受影响			0000.00.0000	1
CDLL753A	2.8950	RFQ	3991	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL753		500兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 3.5 V				6.2 v	7欧姆
CDLL5931D	11.7300	RFQ	2428	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL5931		1.25 w	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 13.7 V				18 V	12欧姆
CDLL4132	3.5850	RFQ	5445	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL4132		500兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 62.4 V				82 v	800欧姆
Jan1n5712ur-1	17.1600	RFQ	5428	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/444	大部分	积极的			表面安装	do-213aa		肖特基		do-213aa	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	16 V	1 V @ 35 MA		150 na @ 16 V	-65°C〜150°C	75mA	2pf @ 0v，1MHz
JANTX1N5616	5.0000	RFQ	60	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/427	大部分	积极的			通过洞	a，轴向	1N5616	标准		a，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	400 v	1.3 V @ 3 A	2 µs	500 NA @ 400 V	-65°C 〜200°C	1a	-
Jan1n6354d	-	RFQ	6945	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	B，轴向			500兆	B，轴向	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 NA @ 137 V				180 v	1500欧姆
1月1N2976b	-	RFQ	7245	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/124	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N2976		10 W	DO-213AA（DO-4）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A		10 µA @ 9.1 V				12 v	3欧姆
JANTXV1N3017DUR-1	57.6450	RFQ	6155	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±1％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	1N3017		1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		100 µA @ 5.7 V				7.5 v	4欧姆
R35140	36.6600	RFQ	2753	微芯片技术	R35	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	R35140	标准，反极性		DO-203AB（DO-5）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	1400 v	1.25 V @ 200 A		25 µA @ 1400 V	-65°C 〜200°C	70a	-
JANS1N4615UR-1/TR	64.5004	RFQ	4389	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4615UR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		2.5 µA @ 1 V				2 v	1250欧姆
JANTXV1N5537BUR-1/TR	17.2900	RFQ	5664	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N5537BUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 15.3 V				17 V	100欧姆
1N5251A-1	2.0700	RFQ	7800	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-1N5251A-1	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma		100 na @ 16.2 V				22 v	29欧姆
1月1N4944	6.3000	RFQ	9983	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/360	大部分	积极的			通过洞	a，轴向	1N4944	标准		a，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	400 v	1.3 V @ 1 A	150 ns	1 µA @ 400 V	-65°C〜175°C	1a	-
1N958B-1E3	2.5200	RFQ	6370	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.3 V @ 200 ma		75 µA @ 5.7 V				7.5 v	5.5欧姆
JANTXV1N2805RB	-	RFQ	4996	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/114	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	to-204ad	1N2805		50 W	TO-204AD（TO-3）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A		100 µA @ 5 V				7.5 v	0.3欧姆
JANTX1N4109-1/TR	4.2294	RFQ	6400	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N4109-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 11.4 V				15 v	100欧姆
CDLL5531B/TR	5.9052	RFQ	5871	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf			500兆	do-213ab	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL5531B/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 9.9 V				11 V	80欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²